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J-GLOBAL ID：201902222503186035   整理番号：19A0626047

先進NTDによるFZ Siウエハの半径方向抵抗率変化の低減【JST・京大機械翻訳】

Reduced radial resistivity variation of FZ Si wafers with Advanced NTD

著者 (3件)： Lei Anders (Topsil GlobalWafers A/S, Silicumvej 1, DK-3600 Frederikssund, Denmark) ,  Graesvaenge Martin (Topsil GlobalWafers A/S, Silicumvej 1, DK-3600 Frederikssund, Denmark) ,  Hindrichsen Christian (Topsil GlobalWafers A/S, Silicumvej 1, DK-3600 Frederikssund, Denmark)
資料名： Journal of Crystal Growth  (Journal of Crystal Growth)
巻： 512  ページ： 65-68  発行年： 2019年 
JST資料番号： B0942A  ISSN： 0022-0248  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： パワーエレクトロニクスデバイスの製造は,最高の可能な純度のFZシリコンウエハに依存することは良く知られている。しかし,製造者はウエハを横切るより低い,より低い半径方向抵抗率変化(RRV)を持つウエハに対する要求を持っている。最低のRRVを持つ200mmウエハ市場における現在の製品は中性子変換ドーピング(NTD)に基づいており,そこでは5%以下のRRV値がインゴットからカットされた全てのウエハに対して保証されている。本研究は,2%未満のRRVを有する200mmウエハを提供することができるAdvanced NTDと呼ばれる新しい概念を提示した。NTDウエハの半径方向抵抗率分布は,核反応器における中性子束により影響される。結果は,ウエハの中心に比べて端部で低い抵抗率である。ガス相ドーププロファイルをNTDプロファイルの逆とし,同時に必要なNTDドーピング因子を注意深く制御することにより,開発した気相ドーピングプロセスとNTDプロセスを組み合わせることにより,ほぼ平坦な抵抗率プロファイルを達成できた。先進的なNTDプロセスの能力を,11のインゴットのパイロット生産で実証した。Copyright 2019 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 浮遊 ,  *電気抵抗率 ,  純度 ,  パワーエレクトロニクス ,  原子炉 ,  生産者 ,  *半径方向 ,  インゴット ,  中性子 ,  中性子束 ,  気相 ,  ドーピング
準シソーラス用語： 核変換ドーピング ,  シリコンウエハ , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： A2 浮遊帯技術 ,  A1 中性子核変換ドーピング ,  A1 抵抗率変動 ,  B3 パワーエレクトロニクス

分類 (1件)： 半導体の結晶成長  (BK13040X)

タイトルに関連する用語 (3件)： Siウエハ ,  半径方向 ,  抵抗率