文献

J-GLOBAL ID：201902222607648161   整理番号：19A2819902

テンプレート応用のためのシリカナノスフェア単分子層の制御エッチング:系統的研究【JST・京大機械翻訳】

Controlled etching of silica nanospheres monolayer for template application: A systematic study

著者 (6件)： Utsav (Department of Physics, Indian Institute of Technology Gandhinagar, Palaj, Gandhinagar, Gujarat, India) ,  Khanna Sakshum (Solar Research and Development Centre, Pandit Deendayal Petroleum University, Gandhinagar, Gujarat, India) ,  Paneliya Sagar (Solar Research and Development Centre, Pandit Deendayal Petroleum University, Gandhinagar, Gujarat, India) ,  Ray Abhijit (Solar Research and Development Centre, Pandit Deendayal Petroleum University, Gandhinagar, Gujarat, India) ,  Mukhopadhyay Indrajit (Solar Research and Development Centre, Pandit Deendayal Petroleum University, Gandhinagar, Gujarat, India) ,  Banerjee Rupak (Department of Physics, Indian Institute of Technology Gandhinagar, Palaj, Gandhinagar, Gujarat, India)
資料名： Applied Surface Science  (Applied Surface Science)
巻： 500  ページ： Null  発行年： 2020年 
JST資料番号： B0707B  ISSN： 0169-4332  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： プラズモニクス,フォトニック結晶,太陽電池の分野で使用されている薄膜におけるテンプレート作製のために,自己またはガイドアセンブリによるシリカナノスフェア(SN)の単分子層が広く使われている。著者らは,2粒子レベルでSN幾何学を再構成することにより,非密充填構造を得るための汎用的で,迅速で制御可能なプロセスについて報告する。単層の最終形態を制御するパラメータを定量化するための幾何学的モデルを提案した。異なるサイズ(すなわち,140nm,170nm,および220nm)のSnSを,三段階スピンコーティング法を用いてシリコン基板上に最密充填単分子層として自己集合させ,その後950°Cで焼結し,エッチング液に曝露した。エッチング時間とエッチング液濃度に及ぼす粒子半径,ネック(焼結により形成された)パラメータとSN間の距離の依存性を調べた。再構成された単層の中間的および最終的な形態は,金属支援化学エッチングを用いてシリコンナノワイヤを成長させるテンプレートとして使用される。著者らは,ナノ細線の成長のための調整可能なテンプレートとして用いることができる,SNの単層の再構成に関連するパラメータの定量的推定を提供する。最適化されたプロセスは,その迅速で制御可能な生産速度のため,工業的応用のためにスケールアップすることができる。Copyright 2019 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 焼結 ,  幾何学 ,  ナノワイヤ ,  フォトニック結晶 ,  *二酸化ケイ素 ,  エッチング液 ,  再構成 ,  *単分子層 ,  最適化 ,  太陽電池 ,  単一層 ,  *エッチング ,  自己集合 ,  薄膜 ,  スピンコーティング

著者キーワード (5件)： シリカナノスフェア ,  自己集合 ,  エッチング ,  焼結 ,  非最密充填単分子層

分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (6件)： テンプレート ,  応用 ,  単分子層 ,  エッチング ,  系統 ,  研究