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J-GLOBAL ID：201902222728622558   整理番号：19A0995573

オンチップ相互接続のためのプラズモン回路の実現可能性【JST・京大機械翻訳】

Feasibility of plasmonic circuits for on-chip interconnects

著者 (5件)： Fukuda M. (Department of Electrical and Electronic Information Engineering, Toyohashi University of Technology, Toyohashi 441-8580, Japan) ,  Tonooka Y. (Department of Electrical and Electronic Information Engineering, Toyohashi University of Technology, Toyohashi 441-8580, Japan) ,  Inoue T. (Department of Electrical and Electronic Information Engineering, Toyohashi University of Technology, Toyohashi 441-8580, Japan) ,  Ota M. (Department of Electrical and Electronic Information Engineering, Toyohashi University of Technology, Toyohashi 441-8580, Japan) ,  Ota M. (Japan Society for the Promotion of the Science, Chiyoda, Tokyo 102-8472, Japan)
資料名： Solid-State Electronics  (Solid-State Electronics)
巻： 156  ページ： 33-40  発行年： 2019年 
JST資料番号： H0225A  ISSN： 0038-1101  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 相補的な金属-酸化物半導体(CMOS)互換性プロセスによるプラズモン回路の作製の可能性を示し,回路性能を数値的に,また,動作速度とエネルギー損失の観点から実験的に議論した。回路の分散によって支配されるプラズモン信号の伝送速度は,電気信号のそれより約2桁高いと計算される。単一透過ビット当たりのエネルギー損失をショット雑音限界を用いて推定し,伝送距離が数百μm以内の領域に設定されると,プラズモン信号が電気的信号よりも優れていることを明らかにした。これらの結果と各プラズモン成分の実験結果に基づいて,プラズモン回路の実現可能性を実証した。さらに,波長分割多重化ネットワークのようなプラズモン回路の機能拡張の実現可能性を,CMOS互換プロセスにより作製したプラズモン成分の実験値を用いて論じた。これらのプラズモン回路とネットワークはCMOS互換プロセスを用いてシリコン基板上のシリコン集積回路に集積できる。Copyright 2019 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 表面プラズモン ,  電気信号 ,  *相互接続 ,  集積回路 ,  互換性 ,  WDM【信号】 ,  伝送速度 ,  *プラズモン ,  エネルギー損失 ,  ケイ素 ,  導波路 ,  CMOS ,  ネットワーク
準シソーラス用語： シリコンウエハ ,  *オンチップ , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： 表面プラズモン ,  プラズモン集積回路 ,  導波路 ,  MOSFET ,  波長分割多重化

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (4件)： オンチップ ,  相互接続 ,  プラズモン ,  実現可能性