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J-GLOBAL ID：201902223312294038   整理番号：19A0175407

分子ビームエピタクシーによる(001)Ge基板上のGaSb/GaAs量子ドットの成長速度依存特性【JST・京大機械翻訳】

Growth-Rate-Dependent Properties of GaSb/GaAs Quantum Dots on (001) Ge Substrate by Molecular Beam Epitaxy

著者 (15件)： Zon (Semiconductor Device Research Laboratory (SDRL), Department of Electrical Engineering, Faculty of Engineering, Chulalongkorn University, Bangkok, 10330, Thailand) ,  Phienlumlert Pakawat (Semiconductor Device Research Laboratory (SDRL), Department of Electrical Engineering, Faculty of Engineering, Chulalongkorn University, Bangkok, 10330, Thailand) ,  Thainoi Supachok (Semiconductor Device Research Laboratory (SDRL), Department of Electrical Engineering, Faculty of Engineering, Chulalongkorn University, Bangkok, 10330, Thailand) ,  Kiravittaya Suwit (Advanced Optical Technology Laboratory (AOT Lab), Department of Electrical and Computer Engineering, Faculty of Engineering, Naresuan University, Phitsanulok, 65000, Thailand) ,  Tandaechanurat Aniwat (International School of Engineering (ISE), Faculty of Engineering, Chulalongkorn University, Bangkok, 10330, Thailand) ,  Nuntawong Noppadon (National Electronics and Computer Technology Center (NECTEC), National Science and Technology Development Agency (NSTDA), Pathumthani, 12120, Thailand) ,  Sopitpan Suwat (Thai Microelectronics Center (TMEC), National Science and Technology Development Agency (NSTDA), Chachoengsao, 24000, Thailand) ,  Yordsri Visittapong (National Metal and Materials Technology Center (MTEC), National Science and Technology Development Agency (NSTDA), Pathumthani, 12120, Thailand) ,  Thanachayanont Chanchana (National Metal and Materials Technology Center (MTEC), National Science and Technology Development Agency (NSTDA), Pathumthani, 12120, Thailand) ,  Kanjanachuchai Songphol (Semiconductor Device Research Laboratory (SDRL), Department of Electrical Engineering, Faculty of Engineering, Chulalongkorn University, Bangkok, 10330, Thailand) ,  Ratanathammaphan Somchai (Semiconductor Device Research Laboratory (SDRL), Department of Electrical Engineering, Faculty of Engineering, Chulalongkorn University, Bangkok, 10330, Thailand) ,  Panyakeow Somsak (Semiconductor Device Research Laboratory (SDRL), Department of Electrical Engineering, Faculty of Engineering, Chulalongkorn University, Bangkok, 10330, Thailand) ,  Ota Yasutomo (Institute for Nano Quantum Information Electronics and Institute of Industrial Science, The University of Tokyo, Tokyo, 153-8505, Japan) ,  Iwamoto Satoshi (Institute for Nano Quantum Information Electronics and Institute of Industrial Science, The University of Tokyo, Tokyo, 153-8505, Japan) ,  Arakawa Yasuhiko (Institute for Nano Quantum Information Electronics and Institute of Industrial Science, The University of Tokyo, Tokyo, 153-8505, Japan)
資料名： Physica Status Solidi. A. Applications and Materials Science  (Physica Status Solidi. A. Applications and Materials Science)
巻： 216  号： 1  ページ： e1800499  発行年： 2019年 
JST資料番号： D0774A  ISSN： 1862-6300  CODEN： PSSABA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ナノ構造の調整成長は,それらの特性を技術者に提供するための付加的なルートを提供できる本研究では,GaSb/GaAs量子ドット(QD)の成長と(001)Ge基板上のGaAsの成長について報告する。GaAs反位相ドメインで修飾した表面は,自己集合GaSb QDの成長に及ぼす成長速度効果を調べるための初期テンプレートである。GaSb成長速度を変えることにより,異なる形態のQD集合体を形成した。伸長GaSb QDの垂直配向を観測した。断面透過型電子顕微鏡画像は,GaAsマトリックス中に埋め込まれたとき,横方向QDサイズの実質的な減少を示した。ナノ構造の光学的性質を明らかにするために,Raman散乱とパワー依存光ルミネセンス分光法を行った。II型バンドアラインメント特性を確認した。Copyright 2019 Wiley Publishing Japan K.K. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *成長速度 ,  光学的性質 ,  凝集体 ,  *アンチモン化ガリウム ,  *ヒ化ガリウム ,  画像 ,  Raman散乱 ,  自己集合 ,  位相 ,  ナノ構造 ,  光ルミネセンス ,  *MBE成長 ,  *量子ドット
準シソーラス用語： 垂直配向 ,  ドメイン構造 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： GaSb/GaAs ,  Ge基板 ,  分子ビームエピタクシー ,  量子ドット

分類 (4件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  半導体のルミネセンス  (BM08092S) ,  半導体の赤外スペクトル及びRaman散乱・Ramanスペクトル  (BM08066B) ,  13-15族化合物を含む半導体-半導体接合  (BM03082Y)

タイトルに関連する用語 (6件)： 分子ビームエピタクシー ,  Ge基板 ,  GaSb ,  GaAs ,  量子ドット ,  成長速度