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J-GLOBAL ID：201902223351478338   整理番号：19A0127696

超高電力整流器とMOSFET用のGa_2O_3【JST・京大機械翻訳】

Perspective: Ga₂O₃ for ultra-high power rectifiers and MOSFETS

著者 (4件)： Pearton S. J. (Department of Materials Science and Engineering, University of Florida, Gainesville, Florida 32611, USA) ,  Ren Fan (Department of Chemical Engineering, University of Florida, Gainesville, Florida 32611, USA) ,  Tadjer Marko (U.S. Naval Research Laboratory, Washington, DC 20375, USA) ,  Kim Jihyun (Department of Chemical and Biological Engineering, Korea University, Seoul 02841, South Korea)
資料名： Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)
巻： 124  号： 22  ページ： 220901-220901-19  発行年： 2018年 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 酸化ガリウム(Ga_2O_3)は,その大きなバンドギャップ,制御可能なドーピング,および大きな直径,比較的安価な基板の利用可能性のために,既存の技術を超える能力を有するパワーエレクトロニクスのあるクラスの実行可能な候補として出現している。これらの応用には,航空機と電気船のパルスパワー,重電動機のための固体運転者,および高度な電力管理と制御エレクトロニクスを含む電力調整システムが含まれる。ワイドバンドギャップ(WBG)パワーデバイスは,エネルギーとコストの両方において潜在的節約を提供する。しかし,WBGデバイスによって駆動されるコンバータは,すべてのレベルで革新を必要とし,システム設計,回路アーキテクチャ,資格計量,および市場モデルに変化をもたらす。高電圧整流器および増強モード金属酸化物電界効果トランジスタの性能は,SiCまたはGaNのいずれかに対して,β-Ga_2O_3のより大きな臨界電場から利益を得た。β-Ga_2O_3に対する2kV以上の逆絶縁破壊電圧を,エッジ終端の有無にかかわらず,サファイア上の横磁場めっきGa_2O_3Schottkyダイオードに対して3kV以上について報告した。Ga_2O_3上に作製した金属-酸化物-半導体電界効果トランジスタは,主に空乏化(dモード)デバイスであり,増強(eモード)動作の実証が少ない。これらの結果は有望であるが,この技術の限界と,より成熟したSiCとGaNパワーデバイス技術に沿った役割を果たすことが必要である。低い熱伝導率は,デバイスを別の基板に移動させるか,基板を薄くすることによって緩和される可能性があり,またトップサイド熱抽出と同様にヒートシンクを使用することによって緩和される可能性がある。材料の特性と輸送の物理,熱伝導,ドーピング能力,および開発の現在の限界と将来の領域を要約するデバイス設計に関する展望を与える。重要な要件は軍事エレクトロニクス開発機関からの関心事である。パワーエレクトロニクスデバイス分野の歴史は,性能進化と最適化のサイクルにより,新しい技術が約10-12年毎に現れることを示した。しかし,より古い技術は,様々な理由で市場に長く生き残っている。GA_2O_3はSiCとGaNを補完する可能性があるが,それらを置き換えることは期待されない。Copyright 2019 AIP Publishing LLC All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： ドーピング ,  *MOSFET ,  パワーエレクトロニクス ,  半導体 ,  電場 ,  炭化ケイ素 ,  電子技術 ,  基板 ,  金属 ,  窒化ガリウム ,  ヒートシンク ,  サファイア ,  *整流器 ,  最適化 ,  バンドギャップ

分類 (2件)： 半導体結晶の電気伝導  (BM03043X) ,  トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (3件)： 高電力 ,  整流器 ,  MOSFET