文献

J-GLOBAL ID：201902223430876070   整理番号：19A0658730

高κ誘電体の原子層堆積のためのサブnm薄SiO_2層によるMOS_2官能化【JST・京大機械翻訳】

MoS₂ Functionalization with a Sub-nm Thin SiO₂ Layer for Atomic Layer Deposition of High-κ Dielectrics

著者 (18件)： Zhang Haodong (Department of Chemistry, KU Leuven, Belgium) ,  Zhang Haodong (Imec, Belgium) ,  Arutchelvan Goutham (Imec, Belgium) ,  Arutchelvan Goutham (Department of Materials Engineering, KU Leuven, Belgium) ,  Meersschaut Johan (Imec, Belgium) ,  Gaur Abhinav (Imec, Belgium) ,  Gaur Abhinav (Department of Materials Engineering, KU Leuven, Belgium) ,  Conard Thierry (Imec, Belgium) ,  Bender Hugo (Imec, Belgium) ,  Lin Dennis (Imec, Belgium) ,  Asselberghs Inge (Imec, Belgium) ,  Heyns Marc (Imec, Belgium) ,  Heyns Marc (Department of Materials Engineering, KU Leuven, Belgium) ,  Radu Iuliana (Imec, Belgium) ,  Vandervorst Wilfried (Imec, Belgium) ,  Vandervorst Wilfried (Department of Physics and Astronomy, KU Leuven, Belgium) ,  Delabie Annelies (Department of Chemistry, KU Leuven, Belgium) ,  Delabie Annelies (Imec, Belgium)
資料名： Chemistry of Materials  (Chemistry of Materials)
巻： 29  号： 16  ページ： 6772-6780  発行年： 2017年 
JST資料番号： T0893A  ISSN： 0897-4756  CODEN： CMATEX  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ナノ電子デバイスにおける二次元(2D)半導体遷移金属ジカルコゲニド(TMD)のいくつかの応用は,2D TMD上の極薄ピンホール自由高κ誘電体膜の堆積を必要とする。しかし,2D TMD上へのnmの薄い高κ誘電体膜の堆積は,不活性TMD表面のために困難なままである。ここでは,合成多結晶2D MoS_2膜の表面をSiO_2で官能化し,薄くて連続したAl_2O_3とHfO_2層の原子層堆積(ALD)を可能にすることを実証した。核形成,成長モード,および層合体過程の起源を,相補的な物理的特性化技術によって研究した。それは,堆積した材料の化学結合,絶対量,および表面被覆率を決定することができる。SiO_2を空気中で物理蒸着Siを酸化することによって調製した。MoS_2の表面親水性は表面ヒドロキシル基の存在によりSiO_2官能化後に著しく増加した。1.5×10~15原子/cm2のSi含有量のSiO_2層は,300°CでMoS_2上に連続2nmの薄いAl_2O_3とHfO_2層の堆積を可能にした。この高速層閉鎖はSiO_2核形成層のサブnm厚さと不連続性にもかかわらず達成できる。実験結果に基づいて,この高速層閉鎖を説明する核形成機構を提案した。Al_2O_3とHfO_2の核形成はSiO_2島上で起こり,高速層閉鎖は多くのnm間隔のSiO_2島から始まる横方向成長によって達成される。最後に,機能化MoS_2上のAl_2O_3の誘電特性を,3.4nm等価酸化物厚さで3.8×10-6A/cm2の漏れ電流を示すトップゲートキャパシタで確認した。結論として,ALDにおける高速核形成および層閉鎖は,サブnmの薄い不連続核形成層に対してさえも達成できる。この洞察は,薄くて完全に連続した層が必要な他のALDプロセス,材料,あるいは応用にも適用できることを提案した。Copyright 2019 American Chemical Society All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： コンデンサ ,  高速度 ,  誘電性 ,  多結晶 ,  二次元 ,  酸化物 ,  ヒドロキシ基 ,  *誘電体 ,  半導体 ,  *官能化 ,  漏れ電流 ,  核形成 ,  *ケイ素 ,  誘電体薄膜
準シソーラス用語： *二層 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  塩基,金属酸化物  (CD01030Z)

タイトルに関連する用語 (4件)： 高 ,  誘電体 ,  原子層堆積 ,  サブ