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J-GLOBAL ID：201902223522688653   整理番号：19A1640114

自己消去可能な酸化チタン抵抗メモリ素子【JST・京大機械翻訳】

Self-erasable titanium oxide resistive memory devices

著者 (8件)： Jang Jingon (KU-KIST Graduate School of Converging Science and Technology, Korea University, 145, Anam-ro, Seongbuk-gu, Seoul 02841, Republic of Korea) ,  Choi Han-Hyeong (Photo-Electronic Hybrids Research Center, Korea Institute of Science and Technology, Seoul 02792, Republic of Korea) ,  Choi Han-Hyeong (School of Chemical and Biological Engineering, Seoul National University, Seoul 08826, Republic of Korea) ,  Kim Minsung (Photo-Electronic Hybrids Research Center, Korea Institute of Science and Technology, Seoul 02792, Republic of Korea) ,  Kim Minsung (Department of Chemical and Biological Engineering, Korea University, Seoul 02841, Republic of Korea) ,  Kim Jai Kyeong (Photo-Electronic Hybrids Research Center, Korea Institute of Science and Technology, Seoul 02792, Republic of Korea) ,  Chung Seungjun (Photo-Electronic Hybrids Research Center, Korea Institute of Science and Technology, Seoul 02792, Republic of Korea) ,  Park Jong Hyuk (Photo-Electronic Hybrids Research Center, Korea Institute of Science and Technology, Seoul 02792, Republic of Korea)
資料名： Journal of Industrial and Engineering Chemistry  (Journal of Industrial and Engineering Chemistry)
巻： 78  ページ： 338-343  発行年： 2019年 
JST資料番号： W3170A  ISSN： 1226-086X  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 著者らは,特性を選択することを使用する簡単なクロスバーアレイ構造を阻害する簡単なクロスバーアレイ構造を持つ自然消去可能なデバイスに利用される酸化チタン(TiO_2)抵抗メモリデバイスを製作した。Al/TiO_2/Alメモリ素子は,空格子点ベースのドリフト伝導手順により,従来の不揮発性およびバイポーラ抵抗スイッチング特性を示した。導電性フィラメントは活性バルク領域への酸素空孔の再分布により除去でき,自己消去可能な特性をもたらし,自然に除去される望ましくない情報を導くことができた。この自己消去可能なメモリデバイスは,十分な長さの後に除去されなければならない,敏感な情報の記憶に利用される可能性がある。Copyright 2019 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 再分布 ,  *記憶素子 ,  ドリフト ,  記憶装置 ,  *酸化チタン ,  非揮発性
準シソーラス用語： *抵抗メモリ ,  酸素空格子点 ,  導電性フィラメント ,  スイッチング特性 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (6件)： 抵抗メモリ ,  自己消去可能な性質 ,  酸化チタン ,  酸素空孔 ,  導電性フィラメント ,  一時的データ記憶

分類 (2件)： 界面化学一般  (CB12010J) ,  固-液界面  (CB12050B)

タイトルに関連する用語 (4件)： 自己 ,  消去 ,  酸化チタン ,  メモリ素子