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J-GLOBAL ID：201902223571036738   整理番号：19A2270103

シリコン上にエピタキシャル成長させた1.3μm量子ドットレーザの電流駆動劣化の研究【JST・京大機械翻訳】

Investigation of Current-Driven Degradation of 1.3 μm Quantum-Dot Lasers Epitaxially Grown on Silicon

著者 (11件)： Buffolo Matteo (Department of Information Engineering, University of Padova, 35131 Padova, Italy) ,  Samparisi Fabio (Department of Information Engineering, University of Padova, 35131 Padova, Italy) ,  Rovere Lorenzo (Department of Information Engineering, University of Padova, 35131 Padova, Italy) ,  De Santi Carlo (Department of Information Engineering, University of Padova, 35131 Padova, Italy) ,  Jung Daehwan (Center for Opto-Electronic Materials and Devices, Korea Institute of Science and Technology, Seoul, South Korea) ,  Norman Justin (Department of Electrical and Computer Engineering, University of California, Santa Barbara, CA, USA) ,  Bowers John E. (Department of Electrical and Computer Engineering, University of California, Santa Barbara, CA, USA) ,  Herrick Robert W. (Intel Corporation, Santa Clara, CA, USA) ,  Meneghesso Gaudenzio (Department of Information Engineering, University of Padova, 35131 Padova, Italy) ,  Zanoni Enrico (Department of Information Engineering, University of Padova, 35131 Padova, Italy) ,  Meneghini Matteo (Department of Information Engineering, University of Padova, 35131 Padova, Italy)
資料名： IEEE Journal of Selected Topics in Quantum Electronics  (IEEE Journal of Selected Topics in Quantum Electronics)
巻： 26  号： 2  ページ： ROMBUNNO.1900208.1-8  発行年： 2020年 
JST資料番号： W0734A  ISSN： 1077-260X  CODEN： IJSQEN  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究では,シリコン上にエピタキシャル成長させた1.3μm InAs量子ドットレーザの長期信頼性に影響する劣化過程を調べた。レーザ試料を定電流応力に照射することにより,光学的劣化の原因となる物理的機構を同定することができた。より具体的には,試料(i)は閾値電流の漸進的増加を示し,(ii)サブ閾値放出の減少,(iii)傾斜効率の減少と良く相関した。これらの変化は,デバイスの活性領域に向かう欠陥の伝搬とその後の注入効率の減少を含む拡散過程と互換性があることが分かった。この仮説は,電気的特性によって示された欠陥関連電流伝導成分の増加によっても支持され,InAs量子ドットレーザダイオードの段階的劣化における欠陥の役割を強調した。エレクトロルミネセンス測定を用いて,分解過程におけるさらなる洞察を提供した。Copyright 2019 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 拡散過程 ,  *量子ドットレーザ ,  活性部位 ,  半導体レーザ ,  *ケイ素 ,  ヒ化インジウム ,  エレクトロルミネセンス ,  電気的性質 ,  *レーザ ,  互換性 ,  *電流
準シソーラス用語： InAs量子ドット ,  サブ閾値 ,  閾値電流 ,  *電流駆動 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 光集積回路,集積光学  (BD06050D) ,  半導体レーザ  (BD04070L)

タイトルに関連する用語 (5件)： シリコン ,  エピタキシャル成長 ,  量子ドットレーザ ,  電流駆動 ,  研究