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J-GLOBAL ID：201902223765134569   整理番号：19A1415749

Ge_2Sb_2Te_5薄膜の高温電気抵抗率とSEebeck係数【JST・京大機械翻訳】

High temperature electrical resistivity and Seebeck coefficient of Ge₂Sb₂Te₅ thin films

著者 (9件)： Adnane L. (Department of Electrical and Computer Engineering, University of Connecticut, Storrs, Connecticut 06269, USA) ,  Dirisaglik F. (Department of Electrical and Electronics Engineering, Eskisehir Osmangazi University, Eskisehir 26480, Turkey) ,  Cywar A. (Department of Electrical and Computer Engineering, University of Connecticut, Storrs, Connecticut 06269, USA) ,  Cil K. (Department of Electrical and Computer Engineering, University of Connecticut, Storrs, Connecticut 06269, USA) ,  Zhu Y. (IBM Watson Research Center, Yorktown Heights, New York 10598, USA) ,  Lam C. (IBM Watson Research Center, Yorktown Heights, New York 10598, USA) ,  Anwar A. F. M. (Department of Electrical and Computer Engineering, University of Connecticut, Storrs, Connecticut 06269, USA) ,  Gokirmak A. (Department of Electrical and Computer Engineering, University of Connecticut, Storrs, Connecticut 06269, USA) ,  Silva H. (Department of Electrical and Computer Engineering, University of Connecticut, Storrs, Connecticut 06269, USA)
資料名： Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)
巻： 122  号： 12  ページ： 125104-125104-9  発行年： 2017年 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： カルコゲナイドGe_2Sb_2Te_5(GST)の熱電特性の高温特性化は,相変化メモリ素子にとって重要である。それは,自己加熱を利用して,非晶質と結晶状態の間を急速にスイッチし,顕著な熱電効果を経験する。本研究では,二酸化ケイ素上に堆積した50nmと200nmのGST薄膜について,室温から600°Cまでの温度の関数として電気抵抗率とSeebeck係数を同時に測定した。最も高い温度での多重加熱と冷却サイクルは,各結晶状態での材料の温度依存特性化を可能にする;これは,温度依存性と材料の変化の複合効果を戻す連続測定とは対照的である。結果は,溶融温度までのp型伝導(S>0),線形S(T),正Thomson係数(dS/dT)を示した。結果は,dS/dTと混合非晶質fcc GSTに対する伝導活性化エネルギーの間の興味ある直線性も明らかにした。これは,他からの一つのパラメータを推定するために用いることができる。有効媒質理論と共にパーコレーションモデルを採用して,XRD測定から得られた平均粒径と材料の伝導率を相関させた。XRD回折測定は,立方晶および六方晶相に対する平面依存熱膨張を示した。Copyright 2019 AIP Publishing LLC All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 連続計測 ,  活性化エネルギー ,  立方晶系 ,  モデリング ,  有効媒質近似 ,  多重化 ,  *電気抵抗率 ,  パーコレーション ,  二酸化ケイ素 ,  *薄膜 ,  *高温 ,  温度依存性 ,  X線回折 ,  非晶質 ,  キャラクタリゼーション ,  高速度

分類 (4件)： その他の無機化合物の電気伝導  (BM03044O) ,  半導体結晶の電気伝導  (BM03043X) ,  金属薄膜  (BK14030T) ,  酸化物薄膜  (BK14050P)

タイトルに関連する用語 (3件)： 薄膜 ,  電気抵抗率 ,  Seebeck係数