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J-GLOBAL ID：201902223894103474   整理番号：19A0491135

レーザ動作赤外非線形光学変調器の有望な材料としての新しい四元TlGaSn2Se6単結晶【JST・京大機械翻訳】

Novel Quaternary TlGaSn2Se6 Single Crystal as Promising Material for Laser Operated Infrared Nonlinear Optical Modulators

著者 (11件)： Parasyuk Oleh V. (Department of Inorganic and Physical Chemistry, Lesya Ukrainka Eastern European National University, Voli Ave. 13, 43025 Lutsk, Ukraine(O.V.T.)) ,  Babizhetskyy Volodymyr S. (Department of Inorganic Chemistry, Ivan Franko National University of Lviv, Kyryla and Mefodiya St. 6, 79005 Lviv, Ukraine) ,  Khyzhun Oleg Y. (Frantsevych Institute for Problems of Materials Science, National Academy of Sciences of Ukraine, Krzhyzhanivsky St. 3, 03142 Kyiv, Ukraine) ,  Levytskyy Volodymyr O. (Department of Inorganic Chemistry, Ivan Franko National University of Lviv, Kyryla and Mefodiya St. 6, 79005 Lviv, Ukraine) ,  Kityk Iwan V. (Institute of Optoelectronics and Measuring Systems, Faculty of Electrical Engineering, Czestochowa University of Technology, Armii Krajowej 17, PL-42-201 Czestochowa, Poland) ,  Myronchuk Galyna L. (Physics Department, Lesya Ukrainka Eastern European National University, Voli Ave. 13, 43025 Lutsk, Ukraine) ,  Tsisar Oksana V. (Department of Inorganic and Physical Chemistry, Lesya Ukrainka Eastern European National University, Voli Ave. 13, 43025 Lutsk, Ukraine(O.V.T.)) ,  Piskach Lyudmyla V. (Department of Inorganic and Physical Chemistry, Lesya Ukrainka Eastern European National University, Voli Ave. 13, 43025 Lutsk, Ukraine(O.V.T.)) ,  Jedryka Jaroslaw (Institute of Optoelectronics and Measuring Systems, Faculty of Electrical Engineering, Czestochowa University of Technology, Armii Krajowej 17, PL-42-201 Czestochowa, Poland) ,  Maciag Artur (Institute of Optoelectronics and Measuring Systems, Faculty of Electrical Engineering, Czestochowa University of Technology, Armii Krajowej 17, PL-42-201 Czestochowa, Poland) ,  Piasecki Michal (Institute of Physics, J. Dlugosz University, Armii Krajowej 13/15, PL-42201 Czestochowa, Poland)
資料名： Crystals (Web)  (Crystals (Web))
巻： 7  号： 11  ページ： 341  発行年： 2017年 
JST資料番号： U7169A  ISSN： 2073-4352  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： スイス (CHE)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 新しいTlGaSn2Se6結晶のレーザ動作三次非線形光学特性の研究を行った。これらの結晶をレーザ動作光電子材料として応用する可能性の探索に主な努力を払った。この理由のために,200J/m2までのエネルギー密度を変えた基本ビームとしてのNd:YAGパルスレーザ1064nmの第三高調波発生を研究した。レーザ動作光の光源として,cwレーザ(532nm)を用い,エネルギーギャップ以上の材料を励起した。さらに,TlInSn2Se6表面のXPSスペクトルに及ぼす中間エネルギーAr+イオンの影響を調べた。Tl4p状態の主な寄与がTlInSn2Se6の価電子帯の上部に現れることを示した。TlGaSn2Se6結晶に対して,外部連続波レーザビームによる照射を用いて第三高調波発生効率の変化の可能性が存在することを確立した。発見された効果は,先進的な光電子レーザ動作デバイスにTlGaSn2Se6結晶を利用することを可能にする。Copyright 2019 The Author(s) All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： カルコゲン化物 ,  エネルギー密度 ,  *単結晶 ,  スペクトル ,  *赤外線 ,  光電子 ,  価電子バンド ,  *レーザ ,  パルスレーザ ,  *非線形光学 ,  結晶構造 ,  光源 ,  連続レーザ ,  エネルギーギャップ ,  エネルギー ,  *結晶

著者キーワード (6件)： カルコゲン化物 ,  結晶構造 ,  電子構造 ,  XPS ,  非線形光学 ,  光誘起効果

分類 (1件)： 非線形光学  (BD05000T)

引用文献 (58件)：

• Yursek, N.S.; Kavas, H.; Gansaly, N.M.; Ozkan, H. Trapping center parameters of TlGaSe2 layered crystals. Phys. B 2004, 344, 249.
• Fedotov, A.K.; Tarasik, M.I.; Mammadov, T.G.; Svito, I.A.; Zhukowski, P.; Koltunowicz, T.N.; Seyidov, M.Y.; Suleymanov, R.A.; Grivickas, V. Electrical properties of the layered single crystals TlGaSe2 and TlInS2. Prz. Elektrotech. 2012, 88, 301-304.
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• Hanias, M.P.; Anagnostopoulos, A.N.; Kambas, K.; Spyridelis, J. Electrical and optical properties of as-grown TlInS2, TlGaSe2 and TlGaS2 single crystals. Mater. Res. Bull. 1992, 27, 25-38.

タイトルに関連する用語 (5件)： レーザ ,  赤外 ,  非線形光学 ,  変調器 ,  単結晶