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J-GLOBAL ID：201902224392787962   整理番号：19A0801988

GaN上の三元Ti-Si-C合金膜形成と接触特性【JST・京大機械翻訳】

Ternary Ti-Si-C alloy film formation on GaN and contact properties

著者 (3件)： Takahashi Y. (Joining and Welding Research Institute, Osaka University, Japan) ,  Arai M. (Joining and Welding Research Institute, Osaka University, Japan) ,  Maeda M. (Dept. of Mechanical Eng., Nihon University, Japan)
資料名： Ceramics International  (Ceramics International)
巻： 45  号： 7 PA  ページ： 9359-9362  発行年： 2019年 
JST資料番号： H0705A  ISSN： 0272-8842  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 三元Ti-Si-C合金膜を高周波マグネトロンスパッタリング法によりGaN基板(n型とp型)上に堆積した。種々の化学組成の接触膜の電気的性質を調べた。微細構造をX線回折と透過型電子顕微鏡で調べた。接触膜の電気的性質は873Kで60秒間のアニーリング後に改善された。n型GaNのOhm接触特性を得た。TiN相はオーム接触を得るのに重要な役割を果たす。Ti-Si-C膜とGaN間の電気的性質に及ぼす堆積とアニーリングの効果を実験結果に基づいて議論した。Copyright 2019 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 電気的性質 ,  微細構造 ,  基板 ,  X線回折分析 ,  透過型電子顕微鏡 ,  焼なまし ,  薄膜 ,  X線回折 ,  化学組成 ,  *窒化ガリウム ,  電子顕微鏡観察 ,  Ohm接触 ,  *合金 ,  窒化チタン ,  *薄膜形成
準シソーラス用語： RFマグネトロンスパッタリング , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： 化合物半導体 ,  GaN ,  薄膜 ,  接触特性 ,  Ohm接触

分類 (1件)： セラミック・磁器の性質  (YC03030G)

タイトルに関連する用語 (4件)： GaN ,  Ti ,  Si ,  膜形成