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J-GLOBAL ID:201902224461736368   整理番号:19A1798868

非晶質In-Zn-O薄膜トランジスタのための高信頼性低温(180°C)溶液処理不動態化

Highly reliable low-temperature (180 °C) solution-processed passivation for amorphous In-Zn-O thin-film transistors
著者 (7件):
資料名:
巻: 12  号:ページ: 064002.1-064002.5  発行年: 2019年06月 
JST資料番号: F0599C  ISSN: 1882-0778  CODEN: APEPC4  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 短報  発行国: イギリス (GBR)  言語: 英語 (EN)
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本論文は,溶液処理非晶質InZnO(a-IZO)薄膜トランジスタ(TFT)の電気的性能と安定性を大幅に改善する,ポリシルセスキオキサン(PSQ)に基づく低温溶液処理不動態化材料を提示する。PSQ不動態化TFTは正バイアス応力試験後に,2.8Vの最小閾値電圧シフトで6.02cm2V-1s-1の最大移動度を示した。PSQ不動態化からの水素関連イオンは酸素空孔を不動態化し,a-IZOチャネルにおけるパーコレーション経路を改善することを示した。さらに,PSQ不動態化TFTは湿度ストレスを受けた後に最小の変化を示した。これらの結果は,大気効果に対する有効な障壁として低温PSQ不動態化の能力を実証した。(翻訳著者抄録)
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分類 (1件):
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トランジスタ 

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