SAFARUDDIN Aimi Syairah について
Nara Inst. of Sci. and Technol., Nara, JPN について
BERMUNDO Juan Paolo S. について
Nara Inst. of Sci. and Technol., Nara, JPN について
YOSHIDA Naofumi について
Merck Performance Materials Ltd., Shizuoka, JPN について
NONAKA Toshiaki について
Merck Performance Materials Ltd., Shizuoka, JPN について
FUJII Mami N. について
Nara Inst. of Sci. and Technol., Nara, JPN について
ISHIKAWA Yasuaki について
Nara Inst. of Sci. and Technol., Nara, JPN について
URAOKA Yukiharu について
Nara Inst. of Sci. and Technol., Nara, JPN について
Applied Physics Express について
非晶質半導体 について
インジウム化合物 について
亜鉛化合物 について
金属酸化物 について
薄膜トランジスタ について
信頼性 について
低温 について
処理 について
不動態化 について
電気的性質 について
安定性 について
ポリシルセスキオキサン について
負荷試験 について
電圧変動 について
空格子点 について
パーコレーション について
酸化インジウム亜鉛 について
高信頼性 について
溶液処理 について
表面不動態化 について
電気的特性 について
ストレス試験 について
閾値電圧シフト について
酸素空孔 について
トランジスタ について
非晶質 について
Zn について
薄膜トランジスタ について
高信頼性 について
低温 について
溶液処理 について
不動態化 について