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J-GLOBAL ID：201902224834423810   整理番号：19A1792188

SiC基板上のグラフェンにおけるElectron移動のモデリング【JST・京大機械翻訳】

Modeling of Electron Transfer in Graphene on SiC Substrate

著者 (2件)： Muravev V. V. (Belarusian State University of Informatics and Radioelectronics, P. Browka 6, 220013 Minsk, Belarus) ,  Mishchenka V. N. (Belarusian State University of Informatics and Radioelectronics, P. Browka 6, 220013 Minsk, Belarus)
資料名： International Journal of Nanoscience  (International Journal of Nanoscience)
巻： 18  号： 3-4  ページ： 1940093  発行年： 2019年 
JST資料番号： A1345A  ISSN： 0219-581X  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： シンガポール (SGP)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： SiC基板上の単一グラフェン層における電子移動過程のシミュレーション結果を示した。すべての既知材料に関する電荷キャリアの高い移動度は,グラフェンを新しい半導体デバイスにおける応用のための有望な候補にする。モンテカルロ法を用いてモデル化することにより,単一グラフェン層における中程度の場エネルギーの範囲における他のタイプの散乱に対する電子-電子散乱の出現率を確立した。Copyright 2019 World Scientific Publishing Company All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *グラフェン ,  シミュレーション ,  電子移動 ,  モンテカルロ法 ,  半導体素子 ,  *モデリング ,  半導体 ,  移動度
準シソーラス用語： 電子輸送 ,  出現率 ,  電子-電子散乱 ,  電荷キャリア ,  炭化ケイ素基板 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： グラフェン ,  半導体構造 ,  電子輸送 ,  モンテカルロ法

分類 (2件)： 半導体結晶の電気伝導  (BM03043X) ,  トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (3件)： SiC基板 ,  グラフェン ,  モデリング