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J-GLOBAL ID：201902224845517332   整理番号：19A2114666

高オン/オフ比のグラフェンナノリボン系電界効果トランジスタの統合合成【JST・京大機械翻訳】

Integrated synthesis of graphene nanoribbon-based field effect transistor with high on/off ratio

著者 (4件)： Ogura Noritada (Tohoku University, Japan) ,  Suzuki Hiroo (Tohoku University, Japan) ,  Kaneko Toshiro (Tohoku University, Japan) ,  Kato Toshiaki (JST-PRESTO, Japan)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2019  号： CSW  ページ： 1  発行年： 2019年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 高オン/オフ電流比を有するグラフェンナノリボン(GNR)ベース電界効果トランジスタ(FET)をプラズマCVD下でナノバー触媒の直接変換により作製した。Geナノバー触媒はGNRの比較的狭い幅を得ることができ,GNRベースFETのオン/オフ比が高くなる。原子間力顕微鏡(AFM)測定は,GNR中の局所的に形成された微細構造が高いオン/オフの起源であることを明らかにした。この方法はGNRの統合合成に対して著しいスケーラビリティを有するので,特に半導体デバイス分野におけるGNRの実用化のための有望な方法となり得る。Copyright 2019 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 電流 ,  原子間力顕微鏡 ,  プラズマCVD ,  触媒 ,  *FET【トランジスタ】 ,  微細構造 ,  半導体素子
準シソーラス用語： 直接変換 ,  *グラフェンナノリボン , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (4件)： 図形・画像処理一般  (JE04010I) ,  レーダ  (ND13010H) ,  音声処理  (JE05000E) ,  信号理論  (ND02020G)

タイトルに関連する用語 (4件)： 高 ,  グラフェンナノリボン ,  電界効果トランジスタ ,  統合