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J-GLOBAL ID：201902224984140468   整理番号：19A1413805

Siナノ結晶/SiO_2多層におけるナノスケールでのリンとホウ素の共ドーピング挙動【JST・京大機械翻訳】

The phosphorus and boron co-doping behaviors at nanoscale in Si nanocrystals/SiO₂ multilayers

著者 (7件)： Li Dongke (School of Electronic Science and Engineering, National Laboratory of Solid State Microstructures, Collaborative Innovation Center of Advanced Microstructures, Jiangsu Provincial Key Laboratory of Advanced Photonic and Electronic Materials, Nanjing University, Nanjing 210000, China) ,  Jiang Yicheng (School of Electronic Science and Engineering, National Laboratory of Solid State Microstructures, Collaborative Innovation Center of Advanced Microstructures, Jiangsu Provincial Key Laboratory of Advanced Photonic and Electronic Materials, Nanjing University, Nanjing 210000, China) ,  Zhang Pei (Henan Key Lab of Information-based Electrical Appliances, College of Electrical and Information Engineering, Zhengzhou University of Light Industry, Zhengzhou 450002, China) ,  Shan Dan (School of Electronic Science and Engineering, National Laboratory of Solid State Microstructures, Collaborative Innovation Center of Advanced Microstructures, Jiangsu Provincial Key Laboratory of Advanced Photonic and Electronic Materials, Nanjing University, Nanjing 210000, China) ,  Xu Jun (School of Electronic Science and Engineering, National Laboratory of Solid State Microstructures, Collaborative Innovation Center of Advanced Microstructures, Jiangsu Provincial Key Laboratory of Advanced Photonic and Electronic Materials, Nanjing University, Nanjing 210000, China) ,  Li Wei (School of Electronic Science and Engineering, National Laboratory of Solid State Microstructures, Collaborative Innovation Center of Advanced Microstructures, Jiangsu Provincial Key Laboratory of Advanced Photonic and Electronic Materials, Nanjing University, Nanjing 210000, China) ,  Chen Kunji (School of Electronic Science and Engineering, National Laboratory of Solid State Microstructures, Collaborative Innovation Center of Advanced Microstructures, Jiangsu Provincial Key Laboratory of Advanced Photonic and Electronic Materials, Nanjing University, Nanjing 210000, China)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 110  号： 23  ページ： 233105-233105-5  発行年： 2017年 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究では,Siナノ結晶/SiO_2多層におけるナノスケールでのリン(P)とホウ素(B)の共ドーピング効果を研究した。いくつかの興味深い実験結果を達成した。これはバルクSiの場合と対照的であり,ドープしたSiナノ結晶に関する以前の観測結果と対照的である。全ての共ドーピング試料はBドーピング比に関係なくn型であることが分かった。Si NCにおけるPドーピング効率はBドーパントより高く,適切なレベルのB共ドーピングにより改善できる。Raman及びESRスペクトルは,Si NCにおけるP及びBの異なる占有優先が興味ある共ドーピング挙動の原因であることを示した。Si NCの電子構造と物理的性質は不純物共ドーピング法により変調できることを示した。Copyright 2019 AIP Publishing LLC All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 電子構造 ,  ドーパント ,  *ナノ結晶 ,  不純物 ,  *ドーピング ,  *リン ,  *ケイ素 ,  *ホウ素 ,  *多層
準シソーラス用語： ESRスペクトル ,  *共ドーピング ,  *ナノスケール ,  一酸化ケイ素 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (5件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  発光素子  (NC03082G) ,  半導体-金属接触  (BM03084G) ,  酸化物薄膜  (BK14050P) ,  その他の無機化合物の薄膜  (BK14060A)

タイトルに関連する用語 (8件)： Si ,  ナノ結晶 ,  多層 ,  ナノスケール ,  リン ,  ホウ素 ,  共ドーピング ,  挙動