β-Ga<sub>2</sub>O<sub>3</sub>単結晶の多光子吸収特性

YAMAOKA Suguru; MIKUNI Yusuke; NAKAYAMA Masaaki

文献

J-GLOBAL ID：201902225009713237 整理番号：19A2741054

β-Ga₂O₃単結晶の多光子吸収特性

Characteristics of Multi-photon Absorption in a β-Ga₂O₃ Single Crystal

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資料名：
巻： 88 号： 11 ページ： 113701.1-113701.3 発行年： 2019年11月15日
JST資料番号： G0509A ISSN： 0031-9015 CODEN： JUPSA 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：短報発行国：日本 (JPN) 言語：英語 (EN)

室温のβ-Ga₂O₃単結晶の多光子吸収(MPA)特性を,プローブとして自縄自縛励起子(STE)の光ルミネセンス(PL)を用いて調べた。様々な励起光子エネルギーでの積分STE-PL強度の励起フルエンス依存性を分析して,2,3,4,5光子吸収過程が起こることを明瞭に確かめた。4,5光子吸収過程の光学遷移エネルギーは,各々Γ点の低位価電子バンドと伝導バンド底の間の遷移エネルギー,及び以前に報告された第一原理計算から得られたΓ点から離れた臨界点の遷移エネルギーとほぼ一致した。(翻訳著者抄録)

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半導体結晶の電子構造 , 半導体のルミネセンス , 励起子 , 非線形光学

引用文献 (18件)：

H. H. Tippins, Phys. Rev. 140, A316 (1965).
T. Onuma, S. Saito, K. Sasaki, T. Masui, T. Yamaguchi, T. Honda, and M. Higashiwaki, Jpn. J. Appl. Phys. 54, 112601 (2015).
M. Higashiwaki, K. Sasaki, A. Kuramata, T. Masui, and S. Yamakoshi, Appl. Phys. Lett. 100, 013504 (2012).
N. Ueda, H. Hosono, R. Waseda, and H. Kawazoe, Appl. Phys. Lett. 70, 3561 (1997).
D. Guo, Z. Wu, P. Li, Y. An, H. Liu, X. Guo, H. Yan, G. Wang, C. Sun, L. Li, and W. Tang, Opt. Mater. Express 4, 1067 (2014).

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