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J-GLOBAL ID：201902225009713237   整理番号：19A2741054

β-Ga₂O₃単結晶の多光子吸収特性

Characteristics of Multi-photon Absorption in a β-Ga₂O₃ Single Crystal

著者 (3件)： YAMAOKA Suguru (Osaka City Univ., Osaka, JPN) ,  MIKUNI Yusuke (Osaka City Univ., Osaka, JPN) ,  NAKAYAMA Masaaki (Osaka City Univ., Osaka, JPN)
資料名： Journal of the Physical Society of Japan  (Journal of the Physical Society of Japan)
巻： 88  号： 11  ページ： 113701.1-113701.3  発行年： 2019年11月15日 
JST資料番号： G0509A  ISSN： 0031-9015  CODEN： JUPSA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 室温のβ-Ga₂O₃単結晶の多光子吸収(MPA)特性を,プローブとして自縄自縛励起子(STE)の光ルミネセンス(PL)を用いて調べた。様々な励起光子エネルギーでの積分STE-PL強度の励起フルエンス依存性を分析して,2,3,4,5光子吸収過程が起こることを明瞭に確かめた。4,5光子吸収過程の光学遷移エネルギーは,各々Γ点の低位価電子バンドと伝導バンド底の間の遷移エネルギー,及び以前に報告された第一原理計算から得られたΓ点から離れた臨界点の遷移エネルギーとほぼ一致した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *酸化ガリウム ,  化合物半導体 ,  多量子遷移 ,  *自縄自縛励起子 ,  光ルミネセンス ,  電子遷移 ,  遷移エネルギー ,  伝導バンド ,  価電子バンド ,  バンド間遷移 ,  光学遷移 ,  酸化物半導体 ,  *多光子吸収

分類 (4件)： 半導体結晶の電子構造  (BM02060N) ,  半導体のルミネセンス  (BM08092S) ,  励起子  (BM02120E) ,  非線形光学  (BD05000T)

引用文献 (18件)：

• H. H. Tippins, Phys. Rev. 140, A316 (1965).
• T. Onuma, S. Saito, K. Sasaki, T. Masui, T. Yamaguchi, T. Honda, and M. Higashiwaki, Jpn. J. Appl. Phys. 54, 112601 (2015).
• M. Higashiwaki, K. Sasaki, A. Kuramata, T. Masui, and S. Yamakoshi, Appl. Phys. Lett. 100, 013504 (2012).
• N. Ueda, H. Hosono, R. Waseda, and H. Kawazoe, Appl. Phys. Lett. 70, 3561 (1997).
• D. Guo, Z. Wu, P. Li, Y. An, H. Liu, X. Guo, H. Yan, G. Wang, C. Sun, L. Li, and W. Tang, Opt. Mater. Express 4, 1067 (2014).

タイトルに関連する用語 (3件)： β-Ga2O3 ,  単結晶 ,  多光子吸収