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J-GLOBAL ID：201902225240362134   整理番号：19A2114519

ミストCVDにより合成した非晶質酸化アルミニウム薄膜の特性評価【JST・京大機械翻訳】

Characterization of amorphous aluminium oxide thin films synthesized by mist-CVD

著者 (5件)： Yatabe Zenji (Kumamoto University, Japan) ,  Nishiyama Koshi (Kumamoto University, Japan) ,  Tsuda Takaaki (Kumamoto University, Japan) ,  Nishimura Kazuki (Kumamoto University, Japan) ,  Nakamura Yusui (Kumamoto Phoenics, Japan)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2019  号： CSW  ページ： 1  発行年： 2019年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： その広いバンドギャップ(~7eV),高い絶縁破壊電界(~10MV/cm)および高い誘電率(~9)非晶質酸化アルミニウム(Al_2O_3)膜は,電気素子のゲート絶縁体および/または表面不動態化層としての応用のための魅力的な材料である。スパッタリング,金属有機化学蒸着(MOCVD)および原子層堆積(ALD)のようないくつかの真空蒸着法を用いて,高品質Al_2O_3薄膜が報告されている。高品質のAl_2O_3薄膜を得るための一つの代替アプローチは,相対的に非毒性で非熱的な水溶液から種々の金属酸化物薄膜を析出させることができるミスト化学蒸着(ミストCVD)であり,比較的簡単で低コストである。本研究では,400°Cにおける大気圧溶液処理ミスト化学蒸着(ミストCVD)法によるAl_2O_3薄膜の堆積と,堆積膜の化学的性質,結晶度,バンドギャップ,質量密度および屈折率の研究について報告する。得られた値はALDにより堆積した高品質非晶質Al_2O_3薄膜について報告された値に匹敵することを確認した。Copyright 2019 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *酸化アルミニウム ,  ゲート絶縁膜 ,  絶縁破壊 ,  *薄膜 ,  *キャラクタリゼーション ,  屈折率 ,  水溶液 ,  結晶度 ,  *非晶質 ,  電場 ,  *ミスト ,  バンドギャップ ,  誘電率 ,  スパッタリング
準シソーラス用語： 高品質 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 図形・画像処理一般  (JE04010I) ,  音声処理  (JE05000E)

タイトルに関連する用語 (5件)： ミストCVD ,  非晶質 ,  酸化アルミニウム ,  薄膜 ,  特性評価