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J-GLOBAL ID:201902226993248664   整理番号:19A1456984

ニッケル-グラフェン界面によるヘリウム関連クラスタの放出 原子論的研究【JST・京大機械翻訳】

Release of helium-related clusters through a nickel-graphene interface: An atomistic study
著者 (10件):
資料名:
巻: 487  ページ: 218-227  発行年: 2019年 
JST資料番号: B0707B  ISSN: 0169-4332  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
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高密度界面を有するニッケル-グラフェンナノ層は,ヘリウム(He)脆化に対して優れた抵抗性を有し,溶融塩反応器システムの候補材料として提案されていると期待されている。しかし,ニッケル-グラフェンナノ層に及ぼすHe照射効果は現在ほとんど理解されていない。本研究では,He関連クラスタの核形成と成長に及ぼすニッケル-グラフェン界面(NGI)の影響を原子論的シミュレーションを用いて研究した。NGIはHe関連クラスタの形成エネルギーと拡散エネルギー障壁を減少させた。還元はHe関連クラスタを界面により容易に捕捉し,その結果顕著な偏析をもたらす。その結果,バルク中のHe濃度はかなり減少し,バルク中のHe関連クラスタの核形成と成長速度は遅れた。NGIにおけるHe関連クラスタの高い移動度のために,これらのクラスタはバルクにおけるそれらより大きなクラスタを形成するために容易に合体する。ナノ層の合理的な設計は,材料からのHe放出を促進する可能性がある。本研究の結果は,極端な環境におけるニッケル-グラフェンナノ層のサービス寿命評価のための基本的支援を提供することができる。Copyright 2019 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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分類 (2件):
分類
JSTが定めた文献の分類名称とコードです
金属薄膜  ,  電気めっき 

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