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J-GLOBAL ID:201902227186652995   整理番号:19A1831738

低温溶液プロセスを用いたアクティブマトリックス酸化物薄膜トランジスタによる圧電アクチュエータ配列の直接集積【JST・京大機械翻訳】

Direct integration of piezoactuator array with active-matrix oxide thin-film transistors using a low-temperature solution process
著者 (5件):
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巻: 295  ページ: 125-132  発行年: 2019年 
JST資料番号: B0345C  ISSN: 0924-4247  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
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標準CMOS(完全金属酸化物半導体)技術による薄膜圧電アクチュエータの集積は,エレクトロニクス,マイクロフルイディクス,センサおよびアクチュエータのような全集積スマートデバイスに対して多くの実用的関心を引き付けている。しかし,集積化の主な障害は,圧電薄膜(600~750°C)の結晶化に必要な高いアニーリング温度にあり,それはバック回路の劣化をもたらす。本論文では,低温(450°C)溶液処理可能PZT薄膜を用いた活性マトリックス酸化物薄膜トランジスタ(TFT)による,最大の商業的応用性を有するPZT薄膜の直接集積を初めて報告した。活性マトリックスTFTにより電気的に駆動されたPZTアクチュエータアレイの作動を確認した。提案した装置は,マイクロポンプ/バルブ,マイクロ流体制御,エネルギー収穫,センサなどの様々な応用に使用できる。Copyright 2019 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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分類 (1件):
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圧電デバイス 

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