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J-GLOBAL ID：201902227402256351   整理番号：19A1414765

MOCVDによるトレンチ素子のためのGaNのマスクレス再成長【JST・京大機械翻訳】

Maskless regrowth of GaN for trenched devices by MOCVD

著者 (5件)： Agarwal Anchal (Electrical and Computer Engineering Department, University of California Santa Barbara, Santa Barbara, California 93106, USA) ,  Koksaldi Onur (Electrical and Computer Engineering Department, University of California Santa Barbara, Santa Barbara, California 93106, USA) ,  Gupta Chirag (Electrical and Computer Engineering Department, University of California Santa Barbara, Santa Barbara, California 93106, USA) ,  Keller Stacia (Electrical and Computer Engineering Department, University of California Santa Barbara, Santa Barbara, California 93106, USA) ,  Mishra Umesh K. (Electrical and Computer Engineering Department, University of California Santa Barbara, Santa Barbara, California 93106, USA)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 111  号： 23  ページ： 233507-233507-4  発行年： 2017年 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 種々の幅をもつGaNトレンチについて,ブランケット再成長研究を行い,トレンチのプロフィルを維持する必要がある二つのタイプのデバイス,すなわち,再成長後の平面表面に必要なトレンチの完全な充填を必要とするものについて最適化した。低温Al_0.22Ga_0.78N成長を最適化し,SEMのためのマーカー層として用いた。950°Cの中間温度でのGaN堆積とキャリアガスとしてのN_2の使用は主に(0001)面上の成長をもたらしたが,側壁上の成長は遅い成長する半極性面の形成によって支配された。これにより,再成長GaN中間層に基づく垂直トレンチMOSFETに対する再成長GaN-有用性に対する共形プロファイルが得られた。対照的に,H_2中の高温(1150°C)成長は,高い横方向成長速度をもたらした。これらの条件下で平面表面を達成し,CAVET型素子に対して非常に有望な結果を得た。Copyright 2019 AIP Publishing LLC All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 最適化 ,  高温 ,  低温 ,  *MOCVD ,  MOSFET ,  ブランケット ,  *窒化ガリウム ,  キャリアガス
準シソーラス用語： 横方向成長 ,  中間層 ,  半極性 ,  中間温度 ,  *再成長 ,  *トレンチ , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  13-15族化合物を含む半導体-半導体接合  (BM03082Y)

タイトルに関連する用語 (5件)： MOCVD ,  トレンチ ,  GaN ,  マスクレス ,  再成長