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J-GLOBAL ID：201902227529900423   整理番号：19A1415086

フッ素化Si不動態化層を用いたZRON/TaON多層複合ゲート誘電体によるGe MOSキャパシタの界面と電気特性の改善【JST・京大機械翻訳】

Improved interfacial and electrical properties of Ge MOS capacitor with ZrON/TaON multilayer composite gate dielectric by using fluorinated Si passivation layer

著者 (6件)： Huang Yong (School of Optical and Electronic Information, Huazhong University of Science and Technology, Wuhan 430074, China) ,  Xu Jing-Ping (School of Optical and Electronic Information, Huazhong University of Science and Technology, Wuhan 430074, China) ,  Liu Lu (School of Optical and Electronic Information, Huazhong University of Science and Technology, Wuhan 430074, China) ,  Cheng Zhi-Xiang (School of Optical and Electronic Information, Huazhong University of Science and Technology, Wuhan 430074, China) ,  Lai Pui-To (Department of Electrical and Electronic Engineering, The University of Hong Kong, Pokfulam Road, Pokfulam, Hong Kong) ,  Tang Wing-Man (Department of Applied Physics, The Hong Kong Polytechnic University, Hung Hom, Kowloon, Hong Kong)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 111  号： 5  ページ： 053501-053501-5  発行年： 2017年 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ZrON/TaON多層とフッ素プラズマで処理したSi不動態化層から成る複合ゲート誘電体を持つGe金属-酸化物-半導体キャパシタを作製した。その界面および電気的性質を,Si不動態化層またはフッ素プラズマ処理のないその対応物のそれらと比較した。実験結果は,フッ素化Si不動態化層を有する素子が優れた界面と電気的性能を示すことを示した:低い界面状態密度(中間ギャップで2.0×10~11cm~2eV),小さなフラットバンド電圧(0.17V),低いゲート漏れ電流(V_g=V_fb+1Vで2.04×10~6A/cm2),高い等価誘電率(22.6)。含まれる機構は,TaONとSi不動態化層の混合によって形成されたTaSiON中間層が,不安定Ge酸化物の成長を効果的に抑制し,TaSiON/Ge界面の/近くの欠陥状態を減少させるという事実にある。さらに,フッ素プラズマ処理は,酸素空格子点を不動態化し,元素相互拡散のブロッキングに伝導することができ,その結果,素子に対する優れた電気的性質を達成するために,界面品質を大幅に改善することができた。Copyright 2019 AIP Publishing LLC All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *ゲルマニウム ,  プラズマ処理 ,  半導体 ,  *不動態化 ,  *多層 ,  酸化物 ,  *フッ素化 ,  *ケイ素 ,  *コンデンサ ,  *ゲート絶縁膜 ,  プラズマ ,  誘電率 ,  *界面 ,  *フッ素
準シソーラス用語： フラットバンド電圧 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (10件)： フッ素化 ,  Si ,  不動態化 ,  TaON ,  多層 ,  ゲート誘電体 ,  Ge ,  MOSキャパシタ ,  界面 ,  電気特性