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J-GLOBAL ID:201902227694144895   整理番号:19A0180685

多重共鳴シリコンに基づくフォトニック構造上に集積した単層WSe_2からの指向性放出の増強【JST・京大機械翻訳】

Enhanced Directional Emission from Monolayer WSe2 Integrated onto a Multiresonant Silicon-Based Photonic Structure
著者 (10件):
資料名:
巻:号: 12  ページ: 3031-3038  発行年: 2017年 
JST資料番号: W5045A  ISSN: 2330-4022  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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WSe_2のような二次元遷移金属二カルコゲン化物は,それらの進歩した光電子特性とシリコンフォトニクスプラットフォームとの適合性のために,オンチップ応用のための汎用原子スケール光源として大きな有望性を示す。しかし,このような活性材料のサブナノメータ厚さはそれらの発光効率を制限する。したがって,その指向性を同時に強化する新しいアプローチが必要である。ここでは,シリコンフォトニック構造上に集積したWSe_2単分子層からの増強された指向性発光を実証した。これは,WSe_2層の多重共鳴シリコン格子導波路構造への結合により達成される。構造により支持された多重共鳴モードとの相互作用は,同時励起と発光増強をもたらし,一方,モードの分散は,放出を特定の方向へさらに経路させる。さらに,著者らのハイブリッド構造は,WSe_2の放出寿命の減少により,超高速発光変調の機会を提供する。このようなシリコンベースハイブリッドプラットフォームは,効率的なチップ集積および空間多重化光源として,完全にスケーラブルで有望である。Copyright 2019 American Chemical Society All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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分類 (2件):
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光導波路,光ファイバ,繊維光学  ,  半導体のルミネセンス 

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