欠陥,歪,および荷電不純物の存在下での単層MOS_2における弱くトラップされた荷電および自由励起子【JST・京大機械翻訳】

Dubey Sudipta; Lisi Simone; Nayak Goutham; Herziger Felix; Nguyen Van-Dung; Le Quang Toai; Cherkez Vladimir; Gonzalez Cesar; Gonzalez Cesar; Dappe Yannick J.; Watanabe Kenji; Taniguchi Takashi; Magaud Laurence; Mallet Pierre; Veuillen Jean-Yves; Arenal Raul; Arenal Raul; Marty Laeetitia; Renard Julien; Bendiab Nedjma; Coraux Johann; Bouchiat Vincent

文献

J-GLOBAL ID：201902227776115556 整理番号：19A0660444

欠陥,歪,および荷電不純物の存在下での単層MOS_2における弱くトラップされた荷電および自由励起子【JST・京大機械翻訳】

Weakly Trapped, Charged, and Free Excitons in Single-Layer MoS₂ in the Presence of Defects, Strain, and Charged Impurities

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資料名：
巻： 11 号： 11 ページ： 11206-11216 発行年： 2017年
JST資料番号： W2326A ISSN： 1936-0851 CODEN： ANCAC3 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

数および単層MoS_2は,欠陥の実質的密度を占めた。それらはドーピングレベル,結晶構造,電子-正孔対の結合に影響すると考えられる。すべての3つの効果の付随する分光学的表現を解明し,それらが材料に固有であるかどうか,すなわちその局所環境に関連するかどうかを同定する。著者らは,MoS_2の異なるソースを用いることによって,自然のものと,高圧と高温で調製されたものと,種々の量の荷電不純物をもたらす異なる基板を用いて,Ramanスペクトルにおける内部歪とドーピングの寄与を分離することによって行った。光ルミネセンスは種々の光学活性励起子錯体を明らかにする。荷電励起子と異なり,歪とドーピングに敏感でない20meVの低結合エネルギーをもつ欠陥束縛状態を発見した。逆に,欠陥はMoS_2を有意にドープしなかった。走査型トンネル顕微鏡と密度汎関数理論シミュレーションは,硫黄サイトでの個々の窒素原子のような置換原子を示す。二次元材料の光学的性質に及ぼす外部場と内部場の効果を系統的に理解する方法を示した。Copyright 2019 American Chemical Society All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

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半導体薄膜

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