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J-GLOBAL ID：201902227984933591   整理番号：19A1522620

SiC超接合デバイスのための多重エピタキシャル成長に使用されるイオン種の選択

Selection of ion species suited for channeled implantation to be used in multi-epitaxial growth for SiC superjunction devices

著者 (4件)： MOCHIZUKI Kazuhiro (Hitachi, Ltd., Tokyo, JPN) ,  KOSUGI Ryoji (National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol., Ibaraki, JPN) ,  YONEZAWA Yoshiyuki (National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol., Ibaraki, JPN) ,  OKUMURA Hajime (National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol., Ibaraki, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics  (Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 58  号： 5  ページ： 050905.1-050905.4  発行年： 2019年05月 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 低速度イオンに対する4H-SiCにおける報告された電子阻止断面積とシミュレートされた濃度-深さプロフィルの不一致は,超接合素子のための多重エピタキシャル成長に使用されるチャネル注入に適したイオン種の選択を困難にした。本研究では,室温で公称(0001)ウエハに9×10⁷のイオンを垂直に注入するために平行走査システムを用いた。p型4H-SiCおよびホウ素またはアルミニウムイオンへの窒素またはリンイオンのn型4H-SiCへの可能なチャネル注入の中で,n型4H-SiCへのアルミニウムイオン注入はエピタキシャル成長/イオン注入ステップの繰り返しを最小化するために最良であると結論した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *半導体接合 ,  エピタクシー ,  *炭化ケイ素 ,  化合物半導体 ,  *イオン注入 ,  断面積 ,  *深さプロフィル ,  計算機シミュレーション ,  イオン ,  室温 ,  ホウ素 ,  アルミニウム ,  窒素 ,  リン
準シソーラス用語： 阻止断面積 ,  *超接合 ,  低エネルギーイオン

分類 (2件)： 半導体の放射線による構造と物性の変化  (BK16123E) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

引用文献 (38件)：

• B. J. Baliga, Silicon Carbide Power Devices (World Scientific, Singapore, 2005).
• T. Kimoto and J. A. Cooper, Fundamentals of Silicon Carbide Technology: Growth, Characterization, Devices and Applications (Wiley, Singapore, 2014).
• K. Mochizuki, Vertical GaN and SiC Power Devices (Artech House, Boston, MA, 2018).
• A. Nakagawa, Y. Kawaguchi, and K. Nakamura, Proc. Int. Symp. Power Semicond. Devices & IC's (Naples), 2008, p. 17.
• M. Sumitomo, H. Sakane, K. Arakawa, Y. Higuchi, and M. Matsui, Proc. Int. Symp. Power Semicond. Devices & IC's (Bruges), 2013, p. 33.

タイトルに関連する用語 (5件)： SiC ,  超接合 ,  多重 ,  エピタキシャル成長 ,  イオン種