文献

J-GLOBAL ID：201902227990791518   整理番号：19A2448870

P-1.11:自己整合トップゲートa-IGZO薄膜トランジスタにおける有効移動度とソース/ドレイン抵抗の関係【JST・京大機械翻訳】

P-1.11: Relationship between Effective Mobility and Source/Drain Resistance in Self-Aligned Top-Gate a-IGZO Thin Film Transistors

著者 (4件)： Peng Hao (School of Electronic and Computer Engineering, Peking University, Shenzhen, China) ,  Zhang Shengdong (School of Electronic and Computer Engineering, Peking University, Shenzhen, China) ,  Zhang Shengdong (Institute of Microelectronics, Peking University, Beijing, China) ,  Zhang Shengdong (Active matrix display Beijing engineering research center)
資料名： Digest of Technical Papers. SID International Symposium (Society for Information Display)  (Digest of Technical Papers. SID International Symposium (Society for Information Display))
巻： 50 Suppl S1  ページ： 666-668  発行年： 2019年 
JST資料番号： E0907A  ISSN： 0097-966X  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 自己整合トップゲート(SATG)非晶質インジウム-ガリウム-亜鉛オキシド(a-IGZO)薄膜トランジスタ(TFT)の実効移動度(μ_eff)に及ぼすソース/ドレイン抵抗(R_SD)の影響を研究した。理論的誘導によって得られた1/μ_effとR_SDの間の関係の数学的方程式は,1/μ_effがR_SDの二次関数であり,R_SDが十分小さいとき,この関係は近似的に線形であることを示した。この関係を,技術コンピュータ支援設計(TCAD)シミュレーションを用いて実証した。数学的方程式により,簡単な計算により,種々のTFTにおけるR_SDにより誘起されたμ_eff劣化の程度を予測でき,TFTをスケールダウンしたときのμ_effに及ぼすR_SDの影響を検討した。Copyright 2019 Wiley Publishing Japan K.K. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： CAD【計算機】 ,  非晶質 ,  *薄膜トランジスタ ,  *移動度 ,  線形性 ,  *自己整合 ,  酸化物 ,  シミュレーション ,  近似法
準シソーラス用語： スケールダウン ,  TCAD ,  *ドレイン抵抗 ,  *酸化インジウム・ガリウム・亜鉛 ,  *トップゲート , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： a-IGZO ,  薄膜トランジスタ ,  効果的なモビリティ ,  ソース/ドレイン抵抗 ,  TCADシミュレーション

分類 (1件)： 表示機器  (NC06030Q)

タイトルに関連する用語 (7件)： 自己整合 ,  トップゲート ,  IGZO ,  薄膜トランジスタ ,  移動度 ,  ソース ,  ドレイン抵抗