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J-GLOBAL ID：201902228168948440   整理番号：19A1770729

シリコン垂直パワーMOSFETにおけるSEGRによって導入された損傷サイトの物理的解析と照射後ゲート応力試験に対する意味【JST・京大機械翻訳】

Physical Analysis of Damage Sites Introduced by SEGR in Silicon Vertical Power MOSFETs and Implications for Postirradiation Gate-Stress Test

著者 (4件)： Kuboyama Satoshi (Japan Aerospace Exploration Agency, Tsukuba, Japan) ,  Mizuta Eiichi (Japan Aerospace Exploration Agency, Tsukuba, Japan) ,  Nakada Yuki (Japan Aerospace Exploration Agency, Tsukuba, Japan) ,  Shindou Hiroyuki (Japan Aerospace Exploration Agency, Tsukuba, Japan)
資料名： IEEE Transactions on Nuclear Science  (IEEE Transactions on Nuclear Science)
巻： 66  号： 7  ページ： 1710-1714  発行年： 2019年 
JST資料番号： C0235A  ISSN： 0018-9499  CODEN： IETNAE  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Si垂直パワーMOSFETにおける単一イベントゲート破壊(SEGR)により導入された損傷サイトを物理的に解析し,それらの位置と構造を明らかにした。損傷サイトは予想通りのp体拡散間のネック領域に位置し,ゲート酸化物はSiにより置換され,損傷サイトでゲートポリSiとSi基板を電気的に接続することが分かった。結果として,デバイスシミュレーションにおける損傷サイトにおけるSiスパイクを仮定することにより,損傷デバイス上で観察された複雑な電気的性質を成功裏にモデル化した。また,SEGR試験の間に適用されたものより高い印加電圧によるポストゲート応力試験は,損傷サイトに付加的な熱応力を強制し,ポストゲート応力試験自身に起因する破壊を引き起こすことを示唆した。Copyright 2019 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： ポリシリコン ,  モデリング ,  熱応力 ,  電気的性質 ,  *ケイ素
準シソーラス用語： 印加電圧 ,  デバイスシミュレーション ,  シリコンウエハ ,  ゲート酸化膜 ,  *パワーMOSFET , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 半導体の放射線による構造と物性の変化  (BK16123E)

タイトルに関連する用語 (10件)： シリコン ,  垂直 ,  パワーMOSFET ,  損傷 ,  物理 ,  解析 ,  ゲート ,  応力 ,  試験 ,  意味