GaAsベース高出力ダイオードレーザにおける熱パワー飽和に及ぼすキャリア非ピン止め効果の影響【JST・京大機械翻訳】

Kaul Thorben; Erbert Gotz; Klehr Andreas; Maasdorf Andre; Martin Dominik; Crump Paul

文献

J-GLOBAL ID：201902228936937846 整理番号：19A1555651

GaAsベース高出力ダイオードレーザにおける熱パワー飽和に及ぼすキャリア非ピン止め効果の影響【JST・京大機械翻訳】

Impact of Carrier Nonpinning Effect on Thermal Power Saturation in GaAs-Based High Power Diode Lasers

出版者サイト複写サービスで全文入手 {{ this.onShowCLink("http://jdream3.com/copy/?sid=JGLOBAL&noSystem=1&documentNoArray=19A1555651&COPY=1") }}
高度な検索・分析はJDreamⅢで {{ this.onShowJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=19A1555651&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=W0734A") }}

著者 (6件)： , , , , ,
資料名：
巻： 25 号： 6 ページ： ROMBUNNO.1501910.1-10 発行年： 2019年
JST資料番号： W0734A ISSN： 1077-260X CODEN： IJSQEN 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

広面積ダイオードレーザにおける熱パワー飽和の根本原因解析を示した。接合温度がバイアスとともに増加すると,連続波(CW)駆動ダイオードレーザにおける最大部分の熱パワー飽和限界は光パワーを制限する。従って,利得は減少し,したがって,量子井戸のキャリア密度は増加し(非ピン止め),低利得と付加的光子損失を補償する。エピタキシャル設計の系統的変化を用いて,微分内部効率と光学損失の温度依存性に及ぼすモード利得の影響を実験的に明らかにした。シミュレーションにおけるこの効果を説明するために,速度方程式モデルを適用して温度依存スロープ効率を決定した。縦方向空間ホール燃焼(LSHB)はキャリア密度分布の非対称性を引き起こし,バックファセットでの高い非線形キャリア損失をもたらすが,平均キャリア密度は温度と共に増加し,LSHBの影響を増強する。この増強効果は温度による内部微分効率の急速な劣化をもたらし,したがって初期電力飽和をもたらす。極端な三重非対称垂直設計を導入した。これにより,温度による内部微分効率の劣化を最小化し,CW動作における性能を向上させることができる。Copyright 2019 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

, , , , , , , , , , , , , ,

半導体レーザ

, , , , ,

前のページに戻る