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J-GLOBAL ID：201902229021589159   整理番号：19A1408922

溶液プロセスを用いた高性能薄膜トランジスタのためのシリコンカチオン混合インジウム亜鉛酸化物界面【JST・京大機械翻訳】

Silicon Cations Intermixed Indium Zinc Oxide Interface for High-Performance Thin-Film Transistors Using a Solution Process

著者 (6件)： Na Jae Won (School of Electrical and Electronic Engineering, Yonsei University, Seoul, Republic of Korea) ,  Rim You Seung (School of Intelligent Mechatronic Engineering, Sejong University, Seoul, Republic of Korea) ,  Kim Hee Jun (School of Electrical and Electronic Engineering, Yonsei University, Seoul, Republic of Korea) ,  Lee Jin Hyeok (School of Electrical and Electronic Engineering, Yonsei University, Seoul, Republic of Korea) ,  Hong Seonghwan (School of Electrical and Electronic Engineering, Yonsei University, Seoul, Republic of Korea) ,  Kim Hyun Jae (School of Electrical and Electronic Engineering, Yonsei University, Seoul, Republic of Korea)
資料名： ACS Applied Materials & Interfaces  (ACS Applied Materials & Interfaces)
巻： 9  号： 35  ページ： 29849-29856  発行年： 2017年09月06日 
JST資料番号： W2329A  ISSN： 1944-8244  CODEN： AAMICK  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 金属-酸化物半導体と誘電体層の間の相互混合界面を利用した溶液処理非晶質金属-酸化物薄膜トランジスタ(TFT)を提案した。熱過程から生じるカチオンの相互拡散によって必然的に形成される相互混合界面の存在を検証するために,詳細な物理的特性化を行った。特に,酸化インジウム亜鉛(IZO)半導体と二酸化ケイ素(SiO_2)誘電体層が接触し,熱処理されるとき,Si4+相互混合IZO(Si/IZO)界面が作られる。この概念に基づいて,10cm~2V~-1s-1を超える電界効果移動度と10~7以上のオン/オフ電流比の両方を持つ高性能Si/IZO TFTを成功裏に実証した。Copyright 2019 American Chemical Society All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 相互拡散 ,  電流 ,  *カチオン ,  *酸化物 ,  *薄膜トランジスタ ,  半導体 ,  *界面 ,  二酸化ケイ素 ,  非晶質金属 ,  誘電体 ,  *酸化亜鉛
準シソーラス用語： 酸化インジウム亜鉛 ,  溶液処理 ,  相互混合 ,  酸化物半導体 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： 界面工学 ,  金属酸化物半導体 ,  溶液処理 ,  熱拡散 ,  薄膜トランジスタ

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (9件)： 溶液 ,  プロセス ,  高性能 ,  薄膜トランジスタ ,  シリコン ,  カチオン ,  インジウム ,  亜鉛酸化物 ,  界面