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J-GLOBAL ID：201902229110815913   整理番号：19A0552524

メソスコピックリングアレイ構造における磁気コンダクタンス解析からの電子パラメータの直接抽出【JST・京大機械翻訳】

Direct extraction of electron parameters from magnetoconductance analysis in mesoscopic ring array structures

著者 (10件)： Sawada A. (Graduate School of Information Science and Technology, Hokkaido University, Sapporo, Hokkaido 060-0814, Japan) ,  Faniel S. (Graduate School of Information Science and Technology, Hokkaido University, Sapporo, Hokkaido 060-0814, Japan) ,  Faniel S. (ICTEAM/Winfab, Universite catholique de Louvain, B-1348 Louvain-la-Neuve, Belgium) ,  Mineshige S. (Graduate School of Information Science and Technology, Hokkaido University, Sapporo, Hokkaido 060-0814, Japan) ,  Kawabata S. (National Institute of Advanced Industrial Science and Technology, Tsukuba, Ibaraki 305-8568, Japan) ,  Saito K. (Department of Physics, Keio University, Yokohama, Kanagawa 223-8522, Japan) ,  Kobayashi K. (Department of Physics, Graduate School of Science, Osaka University, 1-1 Machikaneyama, Toyonaka, Osaka 560-0043, Japan) ,  Sekine Y. (NTT Basic Research Laboratories, NTT Corporation, 3-1 Morinosato-Wakamiya, Atsugi, Kanagawa 243-0198, Japan) ,  Sugiyama H. (NTT Device Technology Laboratories, NTT Corporation, 3-1 Morinosato-Wakamiya, Atsugi, Kanagawa 243-0198, Japan) ,  Koga T. (Graduate School of Information Science and Technology, Hokkaido University, Sapporo, Hokkaido 060-0814, Japan)
資料名： Physical Review. B  (Physical Review. B)
巻： 97  号： 19  ページ： 195303  発行年： 2018年 
JST資料番号： D0746A  ISSN： 2469-9950  CODEN： PRBMDO  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 測定基準としてナノ構造の形状とサイズに関する情報を用いて電子特性を調べる方法を報告した。このアプローチでは,メソスコピックリングアレイ(MRAs)内のカオス的リターン軌道上の時間反転干渉を考慮することにより,単位長さ当たりのスピン歳差角を直接定量化する。実験的に,ゲート制御可能なスピン-軌道相互作用(SOI)を有するInGaAs量子井戸中のナノリソグラフィを用いて,MRAsを作製した。結果として,相対論的磁場に関連するOnsager対称性を観測し,半古典的ビリヤード球シミュレーションに対する不可欠な情報を与えた。電子スピンの自由度を含む弱い局在化/反局在化効果の実空間形式に基づいて開発したシミュレーションは,高忠実度の実験的磁気伝導率(MC)曲線を再現した。五つの異なる電子パラメータ(Fermi波長,二つの異なるSOIに対する単位長当たりのスピン歳差角,不純物散乱長,位相コヒーレンス長)の値を単一MC曲線から抽出した。ここで開発した方法は,広範囲のナノ材料とデバイスに適用でき,二次元電子システムのエキゾチック特性の診断ツールを提供する。Copyright 2019 The American Physical Society All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 相対論 ,  直接定量 ,  二次元 ,  カオス ,  磁場 ,  効果 ,  ヒ化ガリウムインジウム ,  電子スピン ,  *シミュレーション ,  スピン-軌道相互作用 ,  ナノ材料
準シソーラス用語： 反局在 ,  弱局在 ,  ナノリソグラフィー ,  スピン歳差 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 電気光学効果,磁気光学効果  (BM08020L)

タイトルに関連する用語 (4件)： 磁気コンダクタンス ,  解析 ,  電子 ,  パラメータ