AgGaO<sub>2</sub>およびCuGaO<sub>2</sub>多形の包括的第一原理研究

SUZUKI Issei; IGUCHI Yuki; SATO Chiyuki; YANAGI Hiroshi; OHASHI Naoki; OMATA Takahisa

文献

J-GLOBAL ID：201902229175506046 整理番号：19A1924288

AgGaO₂およびCuGaO₂多形の包括的第一原理研究

Comprehensive first-principles study of AgGaO₂ and CuGaO₂ polymorphs

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資料名：
巻： 127 号： 6 ページ： 339-347(J-STAGE) 発行年： 2019年
JST資料番号： U0409A ISSN： 1348-6535 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：日本 (JPN) 言語：英語 (EN)

デラフォサイト型α-AgGaO₂およびβ-NaFeO₂型β-AgGaO₂の電子構造を,Hubbard補正を含む局所密度近似関数を用いた密度汎関数理論に基づいて計算した。α-およびβ-AgGaO₂の電子構造を,α-およびβ-CuGaO₂の以前に報告された電子構造と比較した。Ag⁺のイオン半径がCu⁺のそれよりも大きいにもかかわらずα-およびβ-AgGaO₂中のAg-Ag距離は,それぞれα-およびβ-CuGaO₂中のCu-Cu距離とほとんど同じであり,なぜならばそれらの結晶構造のフレームワークがα相中のGaO₆八面体およびβ相のGaO₄四面体の連結によって決定されるためである。AgGaO₂のAg 4d状態における電子の移動は,Ag原子を囲む高密度領域がCu原子のそれらよりも互いに接近しているため,CuGaO₂のCu 3d状態よりもAg原子間でより容易に起こり得ることを示した。これはαおよびβ相の両方に対して,AgGaO₂の価電子帯がCuGaO₂よりも大きな分散をもたらした。一価と三価カチオンのイオン半径の比,r_A^I/r_A^III,がデラフォサイト型およびβ-NaFeO₂型の三元酸化物半導体の価電子帯の分散の指標として提供できることを提案した。(翻訳著者抄録)

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半導体結晶の電子構造

引用文献 (44件)：

1) H. Kawazoe, H. Yanagi, K. Ueda and H. Hosono, MRS Bull., 25, 28-36 (2000).
2) I. Suzuki and T. Omata, Semicond. Sci. Tech., 32, 013007 (2017).
3) Y. Maruyama, H. Irie and K. Hashimoto, J. Phys. Chem. B, 110, 23274-23278 (2006).
4) S. Ouyang and J. Ye, J. Am. Chem. Soc., 133, 7757-7763 (2011).
5) T. Omata, H. Nagatani, I. Suzuki, M. Kita, H. Yanagi and N. Ohashi, J. Am. Chem. Soc., 136, 3378-3381 (2014).

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AgGaO2およびCuGaO2多形の包括的第一原理研究

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