文献

J-GLOBAL ID：201902229249096948   整理番号：19A0927952

Bi/InAs(110)-[数式:原文を参照]上の準一次元表面状態の巨大Rashba分裂【JST・京大機械翻訳】

Giant Rashba splitting of quasi-one-dimensional surface states on Bi/InAs(110)-[Formula : see text]

著者 (15件)： Nakamura Takuto (Department of Physics, Graduate School of Science, Osaka University, Toyonaka 560-0043, Japan) ,  Ohtsubo Yoshiyuki (Department of Physics, Graduate School of Science, Osaka University, Toyonaka 560-0043, Japan) ,  Ohtsubo Yoshiyuki (Graduate School of Frontier Biosciences, Osaka University, Suita 565-0871, Japan) ,  Yamashita Yuki (Department of Physics, Graduate School of Science, Osaka University, Toyonaka 560-0043, Japan) ,  Ideta Shin-ichiro (Institute for Molecular Science, Okazaki 444-8585, Japan) ,  Tanaka Kiyohisa (Institute for Molecular Science, Okazaki 444-8585, Japan) ,  Yaji Koichiro (Institute for Solid State Physics, The University of Tokyo, 5-1-5 Kashiwanoha, Kashiwa, Chiba 277-8581, Japan) ,  Harasawa Ayumi (Institute for Solid State Physics, The University of Tokyo, 5-1-5 Kashiwanoha, Kashiwa, Chiba 277-8581, Japan) ,  Shin Shik (Institute for Solid State Physics, The University of Tokyo, 5-1-5 Kashiwanoha, Kashiwa, Chiba 277-8581, Japan) ,  Komori Fumio (Institute for Solid State Physics, The University of Tokyo, 5-1-5 Kashiwanoha, Kashiwa, Chiba 277-8581, Japan) ,  Yukawa Ryu (Photon Factory, Institute of Materials Structure Science, High Energy Accelerator Research Organization (KEK), 1-1 Oho, Tsukuba 305-0801, Japan) ,  Horiba Koji (Photon Factory, Institute of Materials Structure Science, High Energy Accelerator Research Organization (KEK), 1-1 Oho, Tsukuba 305-0801, Japan) ,  Kumigashira Hiroshi (Photon Factory, Institute of Materials Structure Science, High Energy Accelerator Research Organization (KEK), 1-1 Oho, Tsukuba 305-0801, Japan) ,  Kimura Shin-ichi (Department of Physics, Graduate School of Science, Osaka University, Toyonaka 560-0043, Japan) ,  Kimura Shin-ichi (Graduate School of Frontier Biosciences, Osaka University, Suita 565-0871, Japan)
資料名： Physical Review. B  (Physical Review. B)
巻： 98  号： 7  ページ： 075431  発行年： 2018年 
JST資料番号： D0746A  ISSN： 2469-9950  CODEN： PRBMDO  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Bi/InAs(110)-[数式:原文を参照]表面の電子状態およびそのスピン分極構造を,角度分解光電子分光法(ARPES),スピン分解ARPESおよび密度汎関数理論計算により明らかにした。表面電子状態は準一次元(Q1D)分散曲線とほぼ金属的性質を示した。ホリeliバンドの上部はFermi準位のすぐ下にある。Rashbaパラメータ[数式:原文を参照]の大きさは,以前に報告された1Dシステムよりもはるかに大きな値([数式:原文を参照]eVÅ)に達した。本結果は,スピン分裂電子状態を有する1DまたはQ1D系におけるエキゾチックな電子現象のさらなる研究のための,また先進的なスピントロニクスデバイスに対する有望な再生を提供するであろう。Copyright 2019 The American Physical Society All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： スピン分極 ,  Fermi準位 ,  電子状態 ,  *一次元 ,  スピントロニクス
準シソーラス用語： スピン分裂 ,  分散曲線 ,  表面電子状態 ,  密度汎関数計算 ,  ARPES ,  *準一次元 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 表面の電子構造  (BM02080J) ,  半導体の表面構造  (BK15030A)

タイトルに関連する用語 (4件)： Bi ,  InAs ,  数式 ,  参照