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J-GLOBAL ID：201902229256715774   整理番号：19A1607222

物理ベースデバイスモデルによるアンクランプ誘導スイッチング中のパワーMOSFETのフルチップシミュレーション解析【JST・京大機械翻訳】

Full-chip simulation analysis of power MOSFET’s during unclamped inductive switching with physics-base device models

著者 (3件)： Kachi Tsuyoshi (Power Device Technology Dept., Renesas Electronics Corp., Saijo, Ehime, Japan) ,  Eikyu Katsumi (Advanced Device Technology Dept., Renesas Electronics Corp., Hitachinaka, Ibaraki, Japan) ,  Saito Takashi (Design Platform Technology Dept. 2, Renesas Electronics Corp., Takasaki, Gunma, Japan)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2019  号： ISPSD  ページ： 371-374  発行年： 2019年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 単一パワーMOSFETチップ内の電流と温度分布を明らかにするために,技術に基づく計算機設計(TCAD)ベースのフルチップ過渡解析フレームワークを開発した。従来の設計では,単一パワーデバイスチップは「集中素子」と仮定されている。すなわち,各素子内部の空間分布は無視されている。ある場合,仮定は不十分である。そこで,チップ内部のRC分布を考慮したシミュレーションフレームワークを構築し,非クランプ誘導スイッチング(UIS)中のパワーMOSFETチップの内部状態を解析した。Copyright 2019 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *シミュレーション ,  *スイッチング ,  過渡解析 ,  *クランプ ,  温度分布 ,  空間分布 ,  電流
準シソーラス用語： 内部状態 ,  シミュレーションフレームワーク ,  TCAD ,  コンピュータ設計 ,  *パワーMOSFET , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 図形・画像処理一般  (JE04010I) ,  トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (6件)： 物理 ,  デバイスモデル ,  誘導 ,  スイッチング ,  パワーMOSFET ,  解析