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J-GLOBAL ID：201902229816170542   整理番号：19A0372370

レーザ発振マイクロキャビティに応用したSi上のIII-Vのモノリシック集積:STEMとEDXからの洞察【JST・京大機械翻訳】

Monolithic Integration of III-V on Si Applied to Lasing Micro-Cavities: Insights from STEM and EDX

著者 (6件)： Sousa M. (IBM Research Zurich, Rueschlikon, Switzerland) ,  Mauthe S. (IBM Research Zurich, Rueschlikon, Switzerland) ,  Mayer B. (MPI Munich, Germany and ABB Corporate Research, Baden, Switzerland) ,  Wirths S (MPI Munich, Germany and ABB Corporate Research, Baden, Switzerland) ,  Schmid H. (IBM Research Zurich, Rueschlikon, Switzerland) ,  Moselund K.E. (IBM Research Zurich, Rueschlikon, Switzerland)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2018  号： NANO  ページ： 1-4  発行年： 2018年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： それらの高い移動度と直接バンドギャップにより,III-V材料は,電子およびフォトニック応用のための新しい高性能デバイスを得るための良好な展望を約束する。本論文では,Si(001)上にモノリシックに集積されたGaAsとInGaAs微小空洞の構造品質を研究するために,確立されたTemplate Assisted Selective Epitaxy(TASE)技術[2]-[4]の2つの変種を調べた。第一の変異体は一段階直接空洞成長(DCG)を含むが,第二の変異体は二段階仮想基板(VS)成長法に依存する。得られた空洞を走査透過Electron顕微鏡(STEM)とエネルギー分散X線分光(EDX)により調べた。この発見は空洞の光ルミネセンス特性と相関していた。両方のアプローチは,予め定義された酸化物微小空洞におけるGaAs結晶材料のモノリシック集積を可能にする。いくつかの場合,それらはIII-V材料を単一利得として成長させることができ,顕著な構造欠陥をもたらさない。また,VS法を用いて成長させたInGaAsディスクとリング空洞についても調べた。平面欠陥と粗い表面の存在にもかかわらず,レーザ発振は低温で達成できた。Copyright 2019 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： ヒ化ガリウム ,  酸化物 ,  円板 ,  移動度 ,  ヒ化ガリウムインジウム ,  結晶 ,  *レーザ発振 ,  利得 ,  *ケイ素 ,  品質 ,  低温 ,  光ルミネセンス
準シソーラス用語： 微小空洞 ,  直接バンドギャップ ,  *モノリシック集積化 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 図形・画像処理一般  (JE04010I)

タイトルに関連する用語 (8件)： レーザ発振 ,  マイクロキャビティ ,  応用 ,  Si ,  モノリシック集積 ,  STEM ,  EDX ,  洞察