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J-GLOBAL ID：201902229988286022   整理番号：19A1887776

蓄積電荷測定に基づく金属/有機半導体界面における電荷注入障壁の評価:オフセットBias電圧の影響【JST・京大機械翻訳】

Estimation of the Charge Injection Barrier at a Metal/Organic Semiconductor Interface Based on Accumulated Charge Measurement: The Effect of Offset Bias Voltages

著者 (5件)： Tajima Hiroyuki (Graduate School of Material Science, University of Hyogo, Hyogo, Japan) ,  Yoshida Kesuke (Graduate School of Material Science, University of Hyogo, Hyogo, Japan) ,  Sato Seiichi (Graduate School of Material Science, University of Hyogo, Hyogo, Japan) ,  Kadoya Tomofumi (Graduate School of Material Science, University of Hyogo, Hyogo, Japan) ,  Yamada Jun-ichi (Graduate School of Material Science, University of Hyogo, Hyogo, Japan)
資料名： Journal of Physical Chemistry C  (Journal of Physical Chemistry C)
巻： 121  号： 27  ページ： 14725-14730  発行年： 2017年 
JST資料番号： W1877A  ISSN： 1932-7447  CODEN： JPCCCK  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 有機半導体(OS)層への正孔注入のしきい値電圧に及ぼすオフセットバイアス電圧の影響を,n型Si/SiO_2/OS/Ag(OS=亜鉛フタロシアニン[ZnPc]または金属フリーフタロシアニン[H_2Pc])キャパシタの蓄積電荷測定(ACM)において詳細に調べた。閾値は,OS層が正孔枯渇領域にあるとき,オフセットバイアス電圧に高度に依存する。反対に,OS層が正孔蓄積領域で操作されたとき,閾値はほぼ一定であった。Ag/OS界面の正孔注入障壁は蓄積領域の閾値によって得られた。得られた値は,H_2Pc/AgおよびZnPc/Ag界面に対して,それぞれ0.41および0.05eVであった。本研究は,ACMにおけるオフセット電圧依存性を調べることにより,注入障壁の正確な推定が可能であることを明らかにした。Copyright 2019 American Chemical Society All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *界面 ,  *電圧 ,  *有機半導体 ,  銀 ,  電圧依存性 ,  コンデンサ ,  *オフセット ,  *キャリア注入 ,  正孔 ,  閾値電圧 ,  正孔注入
準シソーラス用語： バイアス電圧 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 発光素子  (NC03082G)

タイトルに関連する用語 (8件)： 蓄積 ,  電荷測定 ,  有機半導体 ,  界面 ,  電荷注入 ,  障壁 ,  評価 ,  オフセット