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J-GLOBAL ID：201902230095322956   整理番号：19A1414070

基板側壁粗化によるAlGaN系紫外発光ダイオードの光抽出増強【JST・京大機械翻訳】

Light extraction enhancement of AlGaN-based ultraviolet light-emitting diodes by substrate sidewall roughening

著者 (10件)： Guo Yanan (Research and Development Center for Solid State Lighting, Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences, Beijing 100083, China) ,  Zhang Yun (Research and Development Center for Solid State Lighting, Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences, Beijing 100083, China) ,  Yan Jianchang (Research and Development Center for Solid State Lighting, Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences, Beijing 100083, China) ,  Xie Haizhong (Research and Development Center for Solid State Lighting, Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences, Beijing 100083, China) ,  Liu Lei (Research and Development Center for Solid State Lighting, Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences, Beijing 100083, China) ,  Chen Xiang (Research and Development Center for Solid State Lighting, Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences, Beijing 100083, China) ,  Hou Mengjun (State Key Laboratory for Artificial Microstructure and Mesoscopic Physics, School of Physics, Peking University, Beijing 100871, China) ,  Qin Zhixin (State Key Laboratory for Artificial Microstructure and Mesoscopic Physics, School of Physics, Peking University, Beijing 100871, China) ,  Wang Junxi (Research and Development Center for Solid State Lighting, Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences, Beijing 100083, China) ,  Li Jinmin (Research and Development Center for Solid State Lighting, Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences, Beijing 100083, China)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 111  号： 1  ページ： 011102-011102-5  発行年： 2017年 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： AlGaNベースの紫外発光ダイオード(UV LED)の光抽出に及ぼすサファイア基板の側壁粗面化の効果を調べた。有限差分時間領域シミュレーションは,効果的な光抽出増強のためのラフニング領域が基板の側壁上に存在することを明らかにした。効果的なラフニング領域の外側の粗面化は,望ましくない内向き光子散乱と吸収をもたらす。TM偏光に支配された深紫外LEDに対して,有効ラフニング領域は基板の裏面から基板の前面側から離れて約L/2×tan(θ_c)までの位置にあり,LはLED素子の側面長であり,θ_cは全反射の臨界角である。LED素子作製において,ピコ秒レーザダイシングを用いてサファイア基板側壁上の粗面化層を実現した。3つの粗面化層を有するUV LEDは,2つの粗面化層を有するものより,20mAにおいて13.2%高い平均光出力(LOP)を有し,効果的なラフニング領域におけるより大きな粗面化領域によるものであった。効果的なラフニング領域を超える付加的な粗面化層を適用すると,シミュレーションが予測されるとLOPは減少する。さらに,これらのLEDの漏れ電流と順方向電圧の値は,それぞれ-10Vで0.2μA以下,20mAで5.8-6.0Vであり,レーザ処理による真性ダイオード性能への熱損傷を示さなかった。Copyright 2019 AIP Publishing LLC All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *ダイオード ,  散乱 ,  漏れ電流 ,  *発光ダイオード ,  *基板 ,  電圧 ,  全反射 ,  レーザ ,  粗面 ,  偏光
準シソーラス用語： 光出力 ,  ダイシング ,  サファイア基板 ,  *UV-LED ,  *粗化 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 発光素子  (NC03082G)

タイトルに関連する用語 (5件)： 側壁 ,  粗化 ,  AlGaN ,  紫外発光ダイオード ,  増強