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J-GLOBAL ID：201902230526225520   整理番号：19A0510552

テラヘルツ量子カスケードレーザにおけるキャリア漏れ動力学【JST・京大機械翻訳】

Carrier Leakage Dynamics in Terahertz Quantum Cascade Lasers

著者 (2件)： Albo Asaf (Faculty of Engineering, Bar-Ilan University, Ramat Gan, Israel) ,  Flores Yuri V. (Research Laboratory of Electronics, Massachusetts Institute of Technology, Cambridge, MA, USA)
資料名： IEEE Journal of Quantum Electronics  (IEEE Journal of Quantum Electronics)
巻： 53  号： 5  ページ： ROMBUNNO.8500508.1-8  発行年： 2017年 
JST資料番号： H0432A  ISSN： 0018-9197  CODEN： IEJQA7  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 最大動作温度T_max=200と177Kをもつ二つのGaAs/Al_0.15Ga_0.85Asテラヘルツ量子カスケードレーザ(THz-QCL)の出力対温度特性を解析し,温度が上昇するにつれてレーザ性能劣化の原因となる熱活性化漏れ経路を同定した。各THz-QCL構造において活性な特定のキャリア漏れ経路を同定し,全レーザ動作範囲にわたって出力対温度分布を再構成することができた。能動領域設計において高障壁を用いると,上部レーザ準位から連続体へのキャリア漏れを実質的に排除し,上部から標準電子LOフォノン放出に平行な低レーザ準位への非放射散乱経路を開くことを見いだした。この効果は,高障壁素子における低いレーザ準位から連続体への漏れの減少と共に,T_maxが177から150Kに減少するのに大きく寄与する。さらに,薄い障壁を持つGaAs/Al_0.15Ga_0.85As設計において,より低いレーザ準位から連続体への電子漏れが増強され,レーザ性能(T_max=200K)が著しく改善されることを示した。最後に,著者らは,非常に温度に敏感でないTHz-QCLに対する将来の設計戦略を提案した。著者らのアプローチは,THz-QCLにおける熱的に活性化されたキャリア漏れ動力学を解析し,困難にするための簡単な方法を提供する。Copyright 2019 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *レーザ ,  活性部位 ,  温度分布 ,  *テラヘルツ波 ,  再構成 ,  *量子カスケードレーザ ,  連続体
準シソーラス用語： LOフォノン ,  熱活性化 ,  性能劣化 ,  温度特性 ,  動作温度 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 半導体レーザ  (BD04070L)

タイトルに関連する用語 (4件)： テラヘルツ ,  量子カスケードレーザ ,  キャリア ,  動力学