文献

J-GLOBAL ID：201902230840024232   整理番号：19A1414514

拡張したSWIR InAs/II型超格子フォトダイオードにおける電子に対する少数キャリア拡散長【JST・京大機械翻訳】

Minority carrier diffusion length for electrons in an extended SWIR InAs/AlSb type-II superlattice photodiode

著者 (7件)： Cohen-Elias D. (Solid State Physics Department, Applied Physics Division, Soreq NRC, Yavne 81800, Israel) ,  Snapi N. (SCD-SemiConductor Devices, P.O. Box 2250, Haifa 31021, Israel) ,  Klin O. (SCD-SemiConductor Devices, P.O. Box 2250, Haifa 31021, Israel) ,  Weiss E. (SCD-SemiConductor Devices, P.O. Box 2250, Haifa 31021, Israel) ,  Shusterman S. (Solid State Physics Department, Applied Physics Division, Soreq NRC, Yavne 81800, Israel) ,  Meir T. (Solid State Physics Department, Applied Physics Division, Soreq NRC, Yavne 81800, Israel) ,  Katz M. (Solid State Physics Department, Applied Physics Division, Soreq NRC, Yavne 81800, Israel)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 111  号： 20  ページ： 201106-201106-4  発行年： 2017年 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 2.5μmに近いλ_カットオフをもつ短波長赤外領域に対するInAs/AlSbタイプII超格子光検出器を作製し,特性化した。C-Vと量子効率測定を用いて,キャリア拡散長,L_deff,および220Kと300Kでそれぞれ0.94μmと1.9μmを抽出した。さらに,I-Vと検出能の測定を行った。λ=2.18μm,-50mV,300Kおよび200Kでの量子効率は29%および16%であり,検出能はそれぞれ10~10および2×10~11cmHz~1/2/ワットであった。-50mVのバイアスでは,300Kと200Kでの暗電流密度は4mA/cm2と2.3×10~6A/cm2であり,抵抗領域はそれぞれ16Ωcm2と38kΩcm2であった。Copyright 2019 AIP Publishing LLC All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *ヒ化インジウム ,  *フォトダイオード ,  バイアス ,  キャラクタリゼーション ,  量子効率 ,  *超格子 ,  *少数キャリア ,  *拡散距離 ,  *キャリア拡散 ,  暗電流 ,  光検出器
準シソーラス用語： 検出能 ,  赤外領域 ,  短波長 ,  カットオフ , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 赤外・遠赤外領域の測光と光検出器  (BD07032W)

タイトルに関連する用語 (8件)： 拡張 ,  SWIR ,  InAs ,  超格子 ,  フォトダイオード ,  電子 ,  少数キャリア ,  拡散長