文献

J-GLOBAL ID：201902230846097279   整理番号：19A1374664

スパッタ法で作製したAg₂Te中間層を用いたAgGaTe₂薄膜の作製

著者 (3件)： 宇留野彩 (早稲田大) ,  小林正和 (早稲田大) ,  小林正和 (早大 材研)
資料名： 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Spring Meeting (CD-ROM))
巻： 66th  ページ： ROMBUNNO.10a-W922-1  発行年： 2019年02月25日 
JST資料番号： Y0054B  ISSN： 2758-4704  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

本文一部表示： 【はじめに】CdTe太陽電池は世界でも広く開発が行われており、近接昇華法を用いることで低コストかつ変換効率の高い太陽電池が作製されている。しかしながら、Cdが含まれており環境への懸念がある。そこで、CdをI, III族材料で置き換えたTe系...【本文一部表示】

シソーラス用語： 生産方式 ,  *テルル化物 ,  *銀化合物 ,  層 ,  *ガリウム化合物 ,  半導体薄膜 ,  *太陽電池 ,  X線回折 ,  結晶度 ,  電子顕微鏡観察 ,  テルル化銀 ,  中間層 ,  *多接合型化合物半導体太陽電池 ,  走査電子顕微鏡法
準シソーラス用語： スパッタ法 ,  *化合物半導体太陽電池 ,  結晶性 ,  SEM観察

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (4件)： スパッタ法 ,  作製 ,  中間層 ,  薄膜