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J-GLOBAL ID：201902231115358066   整理番号：19A1408778

シリコン電極上の固体電解質界面における歪誘起リチウム損失【JST・京大機械翻訳】

Strain-Induced Lithium Losses in the Solid Electrolyte Interphase on Silicon Electrodes

著者 (5件)： Kumar Ravi (School of Engineering, Brown University, Rhode Island, United States) ,  Lu Peng (General Motors Global R&D Center, Michigan, United States) ,  Xiao Xingcheng (General Motors Global R&D Center, Michigan, United States) ,  Huang Zhuangqun (Bruker Nano Surfaces, California, United States) ,  Sheldon Brian W. (School of Engineering, Brown University, Rhode Island, United States)
資料名： ACS Applied Materials & Interfaces  (ACS Applied Materials & Interfaces)
巻： 9  号： 34  ページ： 28406-28417  発行年： 2017年08月30日 
JST資料番号： W2329A  ISSN： 1944-8244  CODEN： AAMICK  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： SEI層の化学的および機械的安定性は,サイクル中に大きな体積変化(~300%)を受けるシリコンのような高容量アノード材料にとって特に重要である。本研究では,SEI形成と進化に及ぼす大きな体積変化の影響を系統的に調べるために,パターン化Si電極を有するSEI膜に制御された歪を適用するための新しいアプローチを提示した。パターン化したシリコン島と連続シリコン薄膜との比較により,基礎となるシリコンの膨張と収縮による不可逆容量損失の相関を可能にした。本研究は,SEI層中の歪がより多くのリチウム消費をもたらすことを実証した。その場AFMと電気化学的リチウム損失測定の組合せは,SEI層成長に関するさらなる情報を提供する。これらの実験は,SEI層中の面内歪が,全体のSEI厚さに著しく影響することなく,無機相形成量のかなりの増加をもたらすことを示した。これらの観察はEISとTOF-SIMSの結果でさらに支持された。SEIにおける歪による不可逆容量進化のマップを実験結果から得た。Copyright 2019 American Chemical Society All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： リチウムイオン電池 ,  不可逆性 ,  パターン形成 ,  *ケイ素 ,  電気化学 ,  *リチウム ,  *界面 ,  アノード ,  *固体電解質
準シソーラス用語： 可逆容量 ,  容量損失 ,  シリコン薄膜 ,  アノード材料【電池】 ,  体積変化 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： 固体電解質界面 ,  容量損失 ,  シリコンアノード ,  その場原子間力顕微鏡 ,  リチウムイオン電池

分類 (1件)： 二次電池  (YB04030K)

タイトルに関連する用語 (6件)： シリコン ,  固体電解質 ,  界面 ,  誘起 ,  リチウム ,  損失