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J-GLOBAL ID：201902231626957871   整理番号：19A1414989

集積E/DモードInAlN/GaN MOS HEMTにおけるアニーリング,温度およびバイアス誘起閾値電圧不安定性【JST・京大機械翻訳】

Annealing, temperature, and bias-induced threshold voltage instabilities in integrated E/D-mode InAlN/GaN MOS HEMTs

著者 (7件)： Blaho M. (Institute of Electrical Engineering, Slovak Academy of Sciences, Dubravska cesta 9, 841 04 Bratislava, Slovakia) ,  Gregusova D. (Institute of Electrical Engineering, Slovak Academy of Sciences, Dubravska cesta 9, 841 04 Bratislava, Slovakia) ,  Hascik S. (Institute of Electrical Engineering, Slovak Academy of Sciences, Dubravska cesta 9, 841 04 Bratislava, Slovakia) ,  Tapajna M. (Institute of Electrical Engineering, Slovak Academy of Sciences, Dubravska cesta 9, 841 04 Bratislava, Slovakia) ,  Frohlich K. (Institute of Electrical Engineering, Slovak Academy of Sciences, Dubravska cesta 9, 841 04 Bratislava, Slovakia) ,  Satka A. (Institute of Electronics and Photonics of the Slovak Technical University of Technology, Ilkovicova 3, 812 19 Bratislava, Slovakia) ,  Kuzmik J. (Institute of Electrical Engineering, Slovak Academy of Sciences, Dubravska cesta 9, 841 04 Bratislava, Slovakia)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 111  号： 3  ページ： 033506-033506-4  発行年： 2017年 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 2μmのゲート長と10μmのソース-ドレイン間隔を持つ自己整合E/Dモードn++GaN/InAlN/GaN MOS HEMTにおいて,しきい値電圧不安定性を調べた。EモードMOS HEMT技術は,380Kで原子層堆積により成長させたAl_2O_3と結合したキャップ層の選択的ドライエッチングに基づいている。DモードMOS HEMTにおいて,ゲート後退をスキップした。E/DモードMOS HEMTの公称閾値電圧(V_T)は,それぞれ0.6および-3.4Vであった。技術不変最大ドレイン電流は約0.45A/mmであった。580K/15分のアニーリングステップと430Kまでの高温での解析は,HEMT動作モードに依存する反対のデバイス挙動を明らかにした。アニーリングステップは,修飾酸化物への電子注入の減少により,DモードHEMTのV_Tを減少させることが分かった。一方,EモードHEMTのV_Tは,酸化物/InAlN界面における表面ドナーの密度の減少とともに増加した。高温での操作は可逆的変化を生じる:それぞれのD-/E-モードHEMTのV_Tの増加/減少。付加的バイアス誘起実験は,素子における複雑なトラッピング現象を示した。GaNバッファ中の浅い(E_Cの下の約0.1eV)トラップと酸化物/InAlN界面の深い準位をEモードデバイスで同定した。一方,DモードHEMTでのトラッピングは,バルク酸化物トラップへの電子の熱イオン注入(E_Fより約0.14eV)と酸化物/GaNキャップ界面状態でのトラッピングと一致することが分かった。Copyright 2019 AIP Publishing LLC All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 可逆変化 ,  ドナー ,  アルミニウム ,  酸化物 ,  高温 ,  *窒化ガリウム ,  *バイアス ,  *不安定性 ,  深い準位 ,  *HEMT ,  *焼なまし ,  界面 ,  ドライエッチング
準シソーラス用語： トラッピング ,  ドレイン電流 ,  *閾値電圧 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (10件)： 集積 ,  InAlN ,  GaN ,  MOS ,  HEMT ,  アニーリング ,  バイアス ,  誘起 ,  閾値電圧 ,  不安定性