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J-GLOBAL ID：201902231894407888   整理番号：19A1344884

30-3:a-InZnOの光誘起半導体-伝導体変換による高性能全溶液処理酸化物薄膜トランジスタ【JST・京大機械翻訳】

30-3: High Performance All Solution Processed Oxide Thin-Film Transistor via Photo-induced Semiconductor-to-Conductor Transformation of a-InZnO

著者 (8件)： Bermundo Juan Paolo S. (Nara Institute of Science and Technology, Nara, Japan) ,  Kulchaisit Chaiyanan (Nara Institute of Science and Technology, Nara, Japan) ,  Corsino Dianne C. (Nara Institute of Science and Technology, Nara, Japan) ,  Syairah Aimi (Nara Institute of Science and Technology, Nara, Japan) ,  Fujii Mami N. (Nara Institute of Science and Technology, Nara, Japan) ,  Ikenoue Hiroshi (Kyushu University, Fukuoka, Japan) ,  Ishikawa Yasuaki (Nara Institute of Science and Technology, Nara, Japan) ,  Uraoka Yukiharu (Nara Institute of Science and Technology, Nara, Japan)
資料名： Digest of Technical Papers. SID International Symposium (Society for Information Display)  (Digest of Technical Papers. SID International Symposium (Society for Information Display))
巻： 50  号： 1  ページ： 422-425  発行年： 2019年 
JST資料番号： E0907A  ISSN： 0097-966X  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： a-InZnOの選択的光誘起半導体-導体変換による高性能全溶液処理酸化物薄膜トランジスタ(TFT)の開発について報告した。この簡単な方法は,追加のソース,ドレインおよびゲート堆積なしに3つの主層を堆積することによりTFTの作製を可能にする。この方法は,高スループットロールからロールへの製造に対して大きな可能性を有している。Copyright 2019 Wiley Publishing Japan K.K. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *導体 ,  *酸化物 ,  *半導体 ,  *薄膜トランジスタ
準シソーラス用語： ハイスループット ,  *溶液処理 ,  *光誘起 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (8件)： 全溶液プロセス ,  薄膜トランジスタ ,  自己整列プロセス ,  光誘起プロセス ,  エキシマレーザ ,  伝導率向上 ,  酸化物半導体 ,  透明導体

分類 (1件)： 表示機器  (NC06030Q)

タイトルに関連する用語 (4件)： 光誘起 ,  溶液処理 ,  酸化物薄膜 ,  トランジスタ