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J-GLOBAL ID：201902232003581598   整理番号：19A0658797

遷移金属ベースのCu_2GeTe_3相変化材料の電子構造:Cu D電子の重要な役割の解明【JST・京大機械翻訳】

Electronic Structure of Transition-Metal Based Cu₂GeTe₃ Phase Change Material: Revealing the Key Role of Cu d Electrons

著者 (8件)： Saito Yuta (Nanoelectronics Research Institute, National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (AIST), Japan) ,  Sutou Yuji (Department of Materials Science, Graduate School of Engineering, Tohoku University, Japan) ,  Fons Paul (Nanoelectronics Research Institute, National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (AIST), Japan) ,  Shindo Satoshi (Department of Materials Science, Graduate School of Engineering, Tohoku University, Japan) ,  Kozina Xeniya (Helmholtz-Zentrum Berlin fuer Materialien und Energie GmbH, Germany) ,  Skelton Jonathan M. (Department of Chemistry, University of Bath, United Kingdom) ,  Kolobov Alexander V. (Nanoelectronics Research Institute, National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (AIST), Japan) ,  Kobayashi Keisuke (SPring-8/JASRI, Japan)
資料名： Chemistry of Materials  (Chemistry of Materials)
巻： 29  号： 17  ページ： 7440-7449  発行年： 2017年 
JST資料番号： T0893A  ISSN： 0897-4756  CODEN： CMATEX  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 遷移金属ベースのCu_2GeTe_3相変化メモリ材料の堆積したままの非晶質相と結晶相の電子構造を,硬X線光電子放出分光法と密度汎関数理論シミュレーションを用いて系統的に研究した。Cud電子の役割を明らかにし,結合におけるd電子の関与が相変化過程で重要な役割を果たすことを明らかにした。高速スイッチングと同様に大きな電気的コントラストは,共鳴結合を示さない四面体結合結晶構造でも保存されている。得られた結果に基づいて,遷移金属ベースの相変化メモリ材料(以前に見過ごされた材料のクラス)は,不揮発性メモリ応用だけでなく,新しい応用に対しても候補となることを提案した。Copyright 2019 American Chemical Society All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： スイッチング ,  不揮発性メモリ ,  *電子構造 ,  共鳴 ,  硬X線 ,  *遷移金属 ,  シミュレーション ,  光電子放出 ,  *相転移 ,  高速度 ,  コントラスト ,  結晶構造 ,  密度汎関数法
準シソーラス用語： d電子 ,  相変化メモリ , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 二次電池  (YB04030K)

タイトルに関連する用語 (6件)： 遷移金属 ,  相変化材料 ,  電子構造 ,  Cu ,  d電子 ,  役割