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J-GLOBAL ID：201902232764741770   整理番号：19A0513140

利得スイッチInGaN系レーザダイオードにおける過渡振動の数値研究【JST・京大機械翻訳】

Numerical Study of Transient Oscillation in Gain-Switched InGaN-Based Laser Diodes

著者 (11件)： Rajabi Kamran (Tsinghua National Laboratory for Information Science and Technology, Department of Electronic Engineering, Tsinghua University, Beijing, China) ,  Wang Lai (Tsinghua National Laboratory for Information Science and Technology, Department of Electronic Engineering, Tsinghua University, Beijing, China) ,  Hao Zhibiao (Tsinghua National Laboratory for Information Science and Technology, Department of Electronic Engineering, Tsinghua University, Beijing, China) ,  Luo Yi (Tsinghua National Laboratory for Information Science and Technology, Department of Electronic Engineering, Tsinghua University, Beijing, China) ,  Sun Changzheng (Tsinghua National Laboratory for Information Science and Technology, Department of Electronic Engineering, Tsinghua University, Beijing, China) ,  Xiong Bing (Tsinghua National Laboratory for Information Science and Technology, Department of Electronic Engineering, Tsinghua University, Beijing, China) ,  Han Yanjun (Tsinghua National Laboratory for Information Science and Technology, Department of Electronic Engineering, Tsinghua University, Beijing, China) ,  Wang Jian (Tsinghua National Laboratory for Information Science and Technology, Department of Electronic Engineering, Tsinghua University, Beijing, China) ,  Li Hongtao (Tsinghua National Laboratory for Information Science and Technology, Department of Electronic Engineering, Tsinghua University, Beijing, China) ,  Li Mo (Microsystem and Terahertz Research Center, China Academy of Engineering Physics, Chengdu, China) ,  Long Heng (Microsystem and Terahertz Research Center, China Academy of Engineering Physics, Chengdu, China)
資料名： IEEE Journal of Selected Topics in Quantum Electronics  (IEEE Journal of Selected Topics in Quantum Electronics)
巻： 23  号： 6  ページ： ROMBUNNO.1800506.1-6  発行年： 2017年 
JST資料番号： W0734A  ISSN： 1077-260X  CODEN： IJSQEN  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 利得スイッチレーザダイオード(LD)のパルス動作は,連続波(CW)発光よりも多くのパワーを提供する。CW発光と同様に,パルス発光は活性領域の構造特性と異なる損失機構により影響を受けた。本論文では,これらのパラメータの両方を,InGaNベースのLDにおいて数値的に調べた。InGaN量子井戸(QW)の厚さは過渡パルスに影響を及ぼし,十分な注入電流では,CWモードの損失が高いほど,より薄いQWはより強い過渡ピーク発光を生じることが分かった。これらの構造における損失機構の研究は,より薄いQWにおける強い放出の原因が,主に活性層の内部のより高いキャリア濃度からであることを示して,それはAuger再結合とキャリア漏れによって著しく減少した。本論文の結果は,InGaNベースのLDからのパルス放出パワーについてのより良い理解を助けることができる。Copyright 2019 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *半導体レーザ ,  構造特性 ,  活性層 ,  活性部位 ,  パルス ,  連続波 ,  電流 ,  発光 ,  量子井戸 ,  キャリア密度
準シソーラス用語： Auger再結合 ,  数値研究 ,  *InGaN ,  *利得スイッチング , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 半導体レーザ  (BD04070L)

タイトルに関連する用語 (6件)： 利得スイッチ ,  InGaN ,  レーザダイオード ,  過渡振動 ,  数値 ,  研究