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J-GLOBAL ID：201902232866914060   整理番号：19A1415671

ナノスケールSi MOSFETにおける低電界電子移動度に対する表面粗さ散乱の影響【JST・京大機械翻訳】

The impact of surface-roughness scattering on the low-field electron mobility in nano-scale Si MOSFETs

著者 (2件)： Kannan Gokula (School of Electrical, Computer and Energy Engineering, Arizona State University, Tempe, Arizona 85287-5706, USA) ,  Vasileska Dragica (School of Electrical, Computer and Energy Engineering, Arizona State University, Tempe, Arizona 85287-5706, USA)
資料名： Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)
巻： 122  号： 11  ページ： 114303-114303-10  発行年： 2017年 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： この研究では,遅延Green関数に対するDyson方程式の解による電子状態の衝突広がりを説明する,反転層における低磁場移動度の計算のための最先端のシミュレータを示した。Coulomb,表面粗さ,音響,非極性光学フォノン散乱による自己エネルギー寄与の計算に自己無撞着Born近似を用いた。3世代のMOSFETデバイスのシミュレーション移動度結果は実験データと一致した。ナノスケールの寸法では,表面粗さ散乱が状態の衝突広がりとスペクトルのくりこみを支配する。Copyright 2019 AIP Publishing LLC All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： スペクトル ,  くりこみ ,  音響 ,  *移動度 ,  シミュレータ ,  *散乱 ,  *電場 ,  *MOSFET ,  Green関数 ,  非極性 ,  *表面粗さ ,  電子状態 ,  シミュレーション ,  衝突広がり
準シソーラス用語： *ナノスケール , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (3件)： 金属の電子伝導一般  (BM03031E) ,  共振器  (NC04050Y) ,  半導体と絶縁体の電気伝導一般  (BM03041P)

タイトルに関連する用語 (7件)： ナノスケール ,  Si ,  MOSFET ,  電界 ,  電子移動度 ,  表面粗さ ,  散乱