すれすれ入射小角X線散乱と電子顕微鏡を用いた液滴により成長させたInGaNナノドットの分析【JST・京大機械翻訳】

Woodward J. M.; Nikiforov A. Yu.; Ludwig K. F. Jr.; Moustakas T. D.

文献

J-GLOBAL ID：201902233095612050 整理番号：19A1416530

すれすれ入射小角X線散乱と電子顕微鏡を用いた液滴により成長させたInGaNナノドットの分析【JST・京大機械翻訳】

Analysis of InGaN nanodots grown by droplet heteroepitaxy using grazing incidence small-angle X-ray scattering and electron microscopy

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資料名：
巻： 122 号： 6 ページ： 065305-065305-16 発行年： 2017年
JST資料番号： C0266A ISSN： 0021-8979 CODEN： JAPIAU 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

プラズマ支援分子線エピタクシー反応器における液滴ヘテロエピタクシー法により,c面窒化アルミニウムテンプレート上に成長させた自己集合インジウム窒化ガリウムナノドットの詳細な構造研究を示した。金属種の全被覆率,相対的及び全金属浸出流束,及び窒化温度を含む種々の成長パラメータを調べた。その場反射高エネルギー電子回折パターンの解析とシミュレーションとの比較は,得られた結晶構造がウルツ鉱型と双晶型閃亜鉛鉱相の混合物であり,閃亜鉛鉱相がより低い金属被覆率とより低い窒化温度で支配的であり,ウルツ鉱相がより高い窒化温度で次第に支配的であることを示した。電界放出走査電子顕微鏡と原子間力顕微鏡による研究は,ナノドットがトリモーダルサイズ分布を示すことを明らかにし,中間サイズモードのドット形態はしばしば異なるクラスタの凝集に類似していた。より高い窒化温度で成長させたナノドットは,十分に高い温度で観察可能な六方晶系面内秩序をもつより大きなドット間間隔を有していた。すれすれ入射小角X線散乱を用いて,ナノドットを近似的に短縮した円錐形と決定し,各分布に対する平均半径,高さ,およびドット間距離を抽出した。断面透過型電子顕微鏡によるナノドットの微細構造研究は,ドットの大部分が転位のない領域に形成され,中間サイズのドットがほぼ切断された円錐形で,閃亜鉛鉱型とウルツ鉱型の両領域から成ることを確認した。走査透過型電子顕微鏡モードにおけるエネルギー分散X線分光法による元素分布のマッピングは,バルク拡散に関連したスピノーダル分解よりもむしろインジウムクラスタ化と速度論的に制御されたナノスケール相分離を示す小さい中間サイズドット内の高度に不均一なインジウム分布を示した。ナノドット層のトップに向かうインジウム濃度の観察された濃縮は,組成的な引っ張り効果に起因すると考えられる。Copyright 2019 AIP Publishing LLC All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

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