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J-GLOBAL ID：201902233173782308   整理番号：19A2089094

HfO_2ベース強誘電体電界効果トランジスタのメモリ特性に及ぼす電離放射線効果【JST・京大機械翻訳】

Ionizing Radiation Effect on Memory Characteristics for HfO₂-Based Ferroelectric Field-Effect Transistors

著者 (3件)： Chen Kuen-Yi (Department of Engineering and System Science, National Tsing Hua University, Hsinchu, Taiwan) ,  Tsai Yi-Shan (Department of Engineering and System Science, National Tsing Hua University, Hsinchu, Taiwan) ,  Wu Yung-Hsien (Department of Engineering and System Science, National Tsing Hua University, Hsinchu, Taiwan)
資料名： IEEE Electron Device Letters  (IEEE Electron Device Letters)
巻： 40  号： 9  ページ： 1370-1373  発行年： 2019年 
JST資料番号： B0344B  ISSN： 0741-3106  CODEN： EDLEDZ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Si上のHFO_2ベースの強誘電体電界効果トランジスタ(FeFET)を,メモリ特性に及ぼす60Coγ線照射の影響を調べるためのプラットフォームとして用いた。元の状態に対して,非照射素子に対する±4V掃引によるメモリ窓は,残留分極(P_r)が強誘電材料HfZrO_x(HZO)における放射線誘起酸素空格子点(Vo)と格子歪により減少するにもかかわらず,300kradと10Mrad放射線量で劣化しない1.48Vである。放射線量レベルにより,素子は,25°Cで10年まで外挿することにより,2.2×10~3の「1」と「0」状態の間の電流比を保持し,非照射素子のそれに匹敵した。放射線の最も悪い影響は,300kradの放射線量を持つデバイスに対して,10~6サイクルで0.52Vのメモリウィンドウによって証明されたように,サイクル試験(+5.5V,-5V/10μs)の間のVoの数の増加によって引き起こされた劣化耐久性である。さらに,放射線に対するロバストなHZOとSiO_x層間層は,信頼性を改良することができるように,結合切断を抑制するために必要であった。Copyright 2019 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： ケイ素 ,  *放射線 ,  γ線照射 ,  信頼性 ,  耐久性 ,  ロバスト性 ,  格子歪 ,  放射線量 ,  残留分極 ,  外挿法 ,  電流 ,  *記憶装置 ,  繰返し試験
準シソーラス用語： 酸素空格子点 ,  強誘電体材料 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 半導体集積回路  (NC03162T) ,  記憶装置  (JC04060F)

タイトルに関連する用語 (3件)： 強誘電体電界効果トランジスタ ,  電離 ,  放射線効果