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J-GLOBAL ID：201902233347893896   整理番号：19A1369984

シリコン系太陽電池向け酸化タングステン膜の表面処理による仕事関数制御

著者 (7件)： 安田洋司 (東京工芸大 工) ,  寺田潤平 (東京工芸大 工) ,  松本和希 (東京工芸大 工) ,  内田孝幸 (東京工芸大 工) ,  宮島晋介 (東京工大 工) ,  白取優大 (東京工大 工) ,  星陽一 (東京工芸大 工)
資料名： 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Spring Meeting (CD-ROM))
巻： 66th  ページ： ROMBUNNO.9p-PB6-5  発行年： 2019年02月25日 
JST資料番号： Y0054B  ISSN： 2758-4704  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

本文一部表示： 1.研究背景 現在、シリコンヘテロ接合(SHJ)太陽電池の正孔選択層であるp-a-Si:Hの代替材料として酸化タングステン(WO3)膜が注目されている。我々の研究室ではその応用に向け検討を始めたが、スパッタ時にターゲットから放出される酸素負...【本文一部表示】

シソーラス用語： 太陽電池 ,  *酸化タングステン ,  *表面処理 ,  *仕事関数 ,  正孔 ,  選択 ,  薄膜 ,  シリコン太陽電池 ,  ヘテロ接合太陽電池

分類 (1件)： 太陽電池  (NC03084O)

タイトルに関連する用語 (5件)： シリコン ,  太陽電池 ,  酸化タングステン ,  表面処理 ,  仕事関数