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J-GLOBAL ID：201902234047447622   整理番号：19A1779010

プラズマ支援反応性スパッタ蒸着を用いた窒化ケイ素薄膜の高速堆積【JST・京大機械翻訳】

High-rate deposition of silicon nitride thin films using plasma-assisted reactive sputter deposition

著者 (5件)： Takenaka Kosuke (Joining and Welding Research Institute, Osaka University, Ibaraki, Osaka 567-0047, Japan) ,  Setsuhara Yuichi (Joining and Welding Research Institute, Osaka University, Ibaraki, Osaka 567-0047, Japan) ,  Han Jeon Geon (Center for Advanced Plasma Surface Technology, Sungkyunkwan University, Suwon 440-746, South Korea) ,  Uchida Giichiro (Joining and Welding Research Institute, Osaka University, Ibaraki, Osaka 567-0047, Japan) ,  Ebe Akinori (EMD Corporation, 2426-1 Mikami, Yasu, Shiga 520-2323, Japan)
資料名： Thin Solid Films  (Thin Solid Films)
巻： 685  ページ： 306-311  発行年： 2019年 
JST資料番号： B0899A  ISSN： 0040-6090  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 有機材料上の機能性薄膜は次世代のフレキシブルディスプレイや太陽電池を含むフレキシブルエレクトロニクスにおいて重要である。ここでは,低温でのプラズマ支援反応性スパッタリング堆積によるSiN_x膜の形成と形成された膜の特性を詳述した。この系で堆積したSiN_x膜の堆積速度と特性に及ぼすプラズマ支援の効果を,相対N_2分圧の関数として報告した。プラズマ支援は1.63nm/sの高い堆積速度をもたらした。21.4%の相対窒素分圧で形成された薄膜は2.73g/cm3の密度を示し,スペクトルの全可視領域にわたって95%以上の透明度を示した。プラズマ支援反応性スパッタリング堆積により形成されたSiN_x膜の特性は,有機発光ダイオード(OLED)や太陽電池などのデバイスにおける不動態化応用に適したSiN_x膜形成の実現可能性を実証した。Copyright 2019 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： スペクトル ,  *窒化 ,  *スパッタ蒸着 ,  低温 ,  不動態化 ,  太陽電池 ,  分圧 ,  堆積速度 ,  有機材料 ,  *薄膜 ,  *プラズマ
準シソーラス用語： 有機EL素子 ,  可視領域 ,  フレキシブルエレクトロニクス ,  フレキシブルディスプレイ , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： プラズマ支援反応性スパッタリング ,  窒化ケイ素膜(SiN_x) ,  不動態化層 ,  高速堆積

分類 (2件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  薄膜成長技術・装置  (BK14020I)

タイトルに関連する用語 (7件)： プラズマ ,  支援 ,  反応性 ,  スパッタ蒸着 ,  窒化 ,  ケイ素薄膜 ,  堆積