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J-GLOBAL ID：201902234877056402   整理番号：19A0511436

異なるターゲットサイズの超伝導ニオブ窒化チタン薄膜の反応性マグネトロンスパッタ蒸着【JST・京大機械翻訳】

Reactive Magnetron Sputter Deposition of Superconducting Niobium Titanium Nitride Thin Films With Different Target Sizes

著者 (7件)： Bos Boy Gustaaf Cornelis (Kavli Institute of Nanoscience, Faculty of Applied Sciences, Delft University of Technology, Delft, CJ, The Netherlands) ,  Thoen David Johannes (Kavli Institute of Nanoscience, Faculty of Applied Sciences and the Department of Electrical Engineering, Faculty of Electrical Engineering, Mathematics and Computer Science, Delft University of Technology, Delft, CD, The Netherlands) ,  Haalebos E. A. F. (Netherlands Institute for Space Research, Utrecht, 3584, CA, The Netherlands) ,  Gimbel P. M. L. (Kavli Institute of Nanoscience, Faculty of Applied Sciences, Delft University of Technology, Delft, CJ, The Netherlands) ,  Klapwijk T. M. (Kavli Institute of Nanoscience, Faculty of Applied Sciences, Delft University of Technology, Delft, CJ, The Netherlands) ,  Baselmans J. J. A. (Department of Electrical Engineering, Faculty of Electrical Engineering, Mathematics and Computer Science, Delft University of Technology, Delft, CD, The Netherlands) ,  Endo Akira (Kavli Institute of Nanoscience, Faculty of Applied Sciences and the Department of Electrical Engineering, Faculty of Electrical Engineering, Mathematics and Computer Science, Delft University of Technology, Delft, CD, The Netherlands)
資料名： IEEE Transactions on Applied Superconductivity  (IEEE Transactions on Applied Superconductivity)
巻： 27  号： 4  ページ： 1-5  発行年： 2017年 
JST資料番号： W0177A  ISSN： 1051-8223  CODEN： ITASE9  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ニオブ窒化チタン(NbTiN)薄膜の超伝導臨界温度(T_c>15K)は1.1THzまでの低損失回路を可能にし,オンチップ分光法と先進検出器によるマルチピクセルイメージングを可能にする。大規模検出器マイクロチップの駆動は,ますます大きな面積にわたって均一な特性を持つNbTiN膜を必要とする。本論文は,異なるターゲットサイズを有する2つの反応性dcスパッタシステムの間の実験的比較を提供した。即ち,小さなターゲット(o/100mm)と大きなターゲット(127mmの・44.5mm)である。本論文では,膜のT_cの最大化とスパッタプラズマのI-V特性に焦点を合わせ,両方の系がT_c>15Kの膜を堆積できることを見出した。得られた膜の均一性をこの体積の第二の論文で示した。これらの膜は,ターゲット窒化が窒素流に最も強く依存する点で,金属から化合物スパッタリングへの遷移内に堆積することを見出した。堆積最適化の鍵は,システムのポンピング速度とガス流を増加させ,ターゲットサイズにより誘起されるヒステリシス効果を相殺することである。ガイドとしてI-V特性を用いることは,反応性スパッタシステムを最適化するための効果的な方法であることが証明され,そのために,最適堆積領域がヒステリシスがなく,アクセスできるかどうかを示すことができる。Copyright 2019 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *マグネトロン ,  検出器 ,  *窒化 ,  プラズマ ,  *スパッタ蒸着 ,  画像処理 ,  *ニオブ ,  *薄膜 ,  窒素 ,  最適化 ,  気体流 ,  *超伝導 ,  ヒステリシス
準シソーラス用語： オンチップ ,  *窒化チタン , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： レーダ  (ND13010H) ,  無線通信一般  (ND08010L)

タイトルに関連する用語 (9件)： ターゲット ,  サイズ ,  伝導 ,  ニオブ ,  窒化 ,  チタン薄膜 ,  反応性 ,  マグネトロン ,  スパッタ蒸着