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J-GLOBAL ID：201902235461736534   整理番号：19A1416646

TiN中間層におけるAlNのその場原子層ラメラドーピングによる二層金属ゲートの仕事関数の調整【JST・京大機械翻訳】

Tuning of the work function of bilayer metal gate by in-situ atomic layer lamellar doping of AlN in TiN interlayer

著者 (6件)： Huang Kuei-Wen (Department of Materials Science and Engineering, National Taiwan University, Taipei 10617, Taiwan) ,  Cheng Po-Hsien (Department of Materials Science and Engineering, National Taiwan University, Taipei 10617, Taiwan) ,  Lin Yu-Shu (Department of Materials Science and Engineering, National Taiwan University, Taipei 10617, Taiwan) ,  Wang Chin-I (Department of Materials Science and Engineering, National Taiwan University, Taipei 10617, Taiwan) ,  Lin Hsin-Chih (Department of Materials Science and Engineering, National Taiwan University, Taipei 10617, Taiwan) ,  Chen Miin-Jang (Department of Materials Science and Engineering, National Taiwan University, Taipei 10617, Taiwan)
資料名： Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)
巻： 122  号： 9  ページ： 095103-095103-5  発行年： 2017年 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Pt/Ti_1-xAl_xN_y二層金属ゲート電極の仕事関数を調整するために,Ptとゲート酸化物の間にAlNをドープした薄いTiN中間層を導入した。その場原子層ラメラドーピング技術を用いて,薄いTi_1-xAl_xN_y中間層におけるAlNドーピング濃度を正確に制御することができた。公称AlNラメラドーピング割合(DP_AlN)の0%から50%への増加により,Pt/Ti_1-xAl_xN_y二層金属ゲートの仕事関数は4.49eVから減少し,DP_AlNが6.25%に等しいと4.19eVの最小値に達し,50%のDP_AlNで4.59eVに増加した。Pt/Ti_1-xAl_xN_y二層金属ゲートの低仕事関数(4.19eV)はn-MOSFETに適しており,金属ゲートの低仕事関数工学を達成するための実行可能な方法を実証した。Copyright 2019 AIP Publishing LLC All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *仕事関数 ,  *窒化アルミニウム ,  *ドーピング ,  MOSFET ,  白金
準シソーラス用語： ゲート酸化膜 ,  ゲート電極 ,  *メタルゲート ,  *二層 ,  *原子層 ,  *中間層 ,  *窒化チタン , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 金属-絶縁体-半導体構造  (BM03085X)

タイトルに関連する用語 (9件)： TiN ,  中間層 ,  AlN ,  原子層 ,  ラメラ ,  ドーピング ,  二層 ,  金属ゲート ,  仕事関数